中國科學院上海光學精密機械研究所高功率激光物理聯(lián)合實驗室在高損傷閾值液晶器件研制方面取得進展，研究人員使用氮化鎵代替氧化銦錫（ITO）作為導電膜制作液晶光開關，在保證其開關性能的基礎上，將液晶器件的損傷閾值提升至高于1J/cm2。相關成果發(fā)表于Optics Letters。 G0 nH Z6  
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液晶光學器件，尤其是液晶空間光調(diào)制器作為一種能夠?qū)崟r、動態(tài)地控制光場振幅、相位、偏振態(tài)的光學器件，已在慣性約束聚變大型激光裝置、激光加工、激光通信等領域得到應用。特別是激光加工、激光通信等領域，隨著激光功率增大，對于器件的高損傷閾值特性有著迫切需求。目前器件中氧化銦錫（ITO）導電材料的激光損傷問題，限制了該類器件的進一步廣泛應用。 rmg";(I  
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針對以上問題，研究人員注意到氮化鎵材料在具有成為透明導電膜材料潛力的同時，其激光損傷閾值高于ITO材料，進而通過將氮化鎵材料替代ITO應用于液晶光開關的透明導電層部分，在保證了其開關性能的同時，成功提高了液晶光開關的激光損傷閾值。結(jié)果表明，氮化鎵作為液晶光學器件的導電膜材料具有巨大潛力，尤其是未來在液晶空間光調(diào)制器中具有廣泛的應用前景。 f_5R!;  
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論文鏈接：https://www.osapublishing.org/ol/abstract.cfm?uri=ol-45-13-3537