摘要:半導體激光器在生物技術、信息存儲、光子醫(yī)學診療等方面得到了廣泛應用。隨著納米技術和納米光子學的發(fā)展,緊湊微型化激光器應用前景引人關注。當激光器諧振腔尺寸減小到發(fā)射波長時,電磁諧振腔中將產(chǎn)生更為有趣的物理效應。因此,在發(fā)展低維、低泵浦閾值的超快相干光源,以及納米光電集成和等離激元光路時,減小半導體激光器的三維尺寸至關重要。在本綜述中,首先介紹了納米等離子體激光器中的諧振腔模式增益和限制因子的總體理論,并綜述了金屬-絕緣材料-半導體納米(MIS)結(jié)構(gòu)或其它相關金屬覆蓋半導體結(jié)構(gòu)的納米等離子體激光器各方面的總體研究進展。特別地,對基于 MIS 結(jié)構(gòu)的等離子體諧振腔實現(xiàn)納米等離子體激光器三維衍射極限的突破,進行了詳細的介紹。本文也介紹并展望了納米等離子體激光器的技術挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢,為納米激光器進一步研究提供參考。 8qg%>ZU4d
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關鍵詞:等離子體激光器;表面等離子體激元;微納加工