1. LPCVD簡介 G!Zb27u+  
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LPCVD--Low PressureChemical Vapor Deposition低壓力化學氣相沉積，是化學氣相沉積中的一種，LPCVD擁有很均勻的階梯覆蓋性、很好的組成成分和結構的控制、高的output（通常一次可以生長50pcs甚至更多），另外LPCVD不需要載氣，因此大大降低了顆粒的污染； #dZs[R7h  
在半導體制程中，采用低壓的目的是減小自摻雜（來自襯底本身的雜質(zhì)），而這正是常壓CVD面臨的主要問題，LPCVD可以很好的解決這一問題。 = wD#H@