HAMR是以激光增加磁錄寫(xiě)的極限,MAMR是以微波增加磁錄寫(xiě)的極限,超過(guò)傳統(tǒng)錄寫(xiě)的100倍?梢赃_(dá)到每平方英寸250 Tbits的存儲(chǔ)容量。 a@s@E
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工業(yè)界相信使用HAMR技術(shù)就能在2023年生產(chǎn)出30TB的硬盤(pán)。 jPA^SxM
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業(yè)界仍致力于HAMR并且達(dá)到每平方英寸1.5 Tbits的存儲(chǔ)容量,下一個(gè)技術(shù)哩程碑的硬盤(pán)將達(dá)40TB。