由UNIST能源與化學(xué)工程學(xué)院的李俊熙教授領(lǐng)導(dǎo)的研究小組提出了一種新的物理現(xiàn)象，該現(xiàn)象有望將指甲大小的存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)容量提高1000倍。研究小組認(rèn)為，這將為直接集成到硅技術(shù)中的最終致密的逐單元鐵電開關(guān)設(shè)備提供意想不到的機(jī)會(huì)。 r(p@{L185  
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鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM或FRAM）通過極化現(xiàn)象來存儲(chǔ)信息，其中電偶極子（如鐵電內(nèi)部的NS磁場(chǎng)）被外部電場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)。 )5Ofr-Y  
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FeRAM已成為替代現(xiàn)有DRAM或閃存的下一代存儲(chǔ)半導(dǎo)體，因?yàn)樗�速度更快，功耗更低，甚至在電源關(guān)閉后仍能保留存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。但是，F(xiàn)eRAM的主要缺點(diǎn)之一是存儲(chǔ)容量有限。 68nBc~iAm  
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因此，為了增加其存儲(chǔ)容量，有必要通過減小芯片尺寸來集成盡可能多的設(shè)備。對(duì)于鐵電體，物理尺寸的減小導(dǎo)致極化現(xiàn)象的消失，該極化現(xiàn)象有助于將信息存儲(chǔ)在鐵電材料中。 ?xYoCn}Z  
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這是因?yàn)殍F電疇的形成（發(fā)生自發(fā)極化的微小區(qū)域）至少需要成千上萬個(gè)原子。因此，當(dāng)前對(duì)FRAM技術(shù)的研究集中在減小域大小的同時(shí)保持存儲(chǔ)容量。 g%%j"Cz1