近日，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員陳壘、王鎮(zhèn)提出了一種新型3D nano-SQUID超導(dǎo)存儲器件，發(fā)現(xiàn)利用其特有的偏離正弦函數(shù)的電流-位相關(guān)系。研究結(jié)果以Miniaturization of the Superconducting Memory Cell via a Three-Dimensional Nb Nano-Superconducting Quantum Interference Device為題發(fā)表在ACS Nano期刊上。 h`n,:Y^++P  
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高速超導(dǎo)存儲器是發(fā)展超導(dǎo)高性能計算技術(shù)的核心器件之一。長期以來，由于存儲原理、集成度等原因，超導(dǎo)存儲器經(jīng)歷了漫長而遲緩的發(fā)展進程。在當前眾多低溫超導(dǎo)存儲方案中，通過磁通量子存儲數(shù)據(jù)是唯一有可能實現(xiàn)皮秒量級的高速讀寫速度，但是由于超導(dǎo)電路在存儲磁通量子時受到電感條件限制，導(dǎo)致存儲單元物理尺寸（目前60×60μm²）難以縮小與集成，無法達到實際應(yīng)用需求。 'fO[f}oa_.