據(jù)外媒New Atlas報(bào)道，得克薩斯大學(xué)的工程師們創(chuàng)造了有史以來(lái)最小的記憶存儲(chǔ)設(shè)備之一，由一種二維材料制成，橫截面面積只有一平方納米。這種被稱為 “原子電阻”的裝置是通過(guò)單個(gè)原子的運(yùn)動(dòng)來(lái)工作的，這將為具有難以置信的信息密度的更小的記憶系統(tǒng)鋪平道路。 o:'MpKm  
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這種新設(shè)備屬于一類新興的電子器件，稱為記憶電阻(Memristors)，它使用電阻開關(guān)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。從本質(zhì)上講，當(dāng)某種材料暴露在一定的電壓下時(shí)，其電阻可以切換，變得更強(qiáng)或更弱。這種現(xiàn)象可用于將數(shù)據(jù)寫入設(shè)備，隨后可測(cè)量其相對(duì)電阻以“讀取”存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。