PC基底硬化后進行冷鍍ITO和AR膜，905nm增透，后工序100℃烘烤2h后ITO和AR（SiO2和TiO2）膜均出現(xiàn)了開裂。 *Au[{sR  
請教下各位大佬，如何進行工藝改善？

路過的大佬請指導(dǎo)一下，謝謝

你設(shè)備有鹵素?zé)艏訜釂�？PC鍍膜最好用鹵素?zé)艏訜?

膜裂原因有很多。 WS1$cAD2N  
有些是溫度的影響，有些是吸水的影響。 4dI=  
C+X-Cp  
PC上鍍膜最好鍍一個打底層，如SIO2或者AL2O3打底，對膜裂會有很大的改善。 OA{PKC  
另外如果可以的話用離子源輔助鍍膜，也會對吸水造成的膜裂會有改善。 ,ku3;58O<  
但是離子源會造成溫度升高，所以要注意條件。 $%0A#&DVh  
c-bTf$6}  
實驗要多做，各種條件都做一下。 <<[\ Rv  
具體情況具體分析，有時候設(shè)備不好也會造成問題的。 ~U`|+ 5  
并不是所有問題都可以用工藝解決的。

ouyuu:膜裂原因有很多。 m vLqccL  
有些是溫度的影響，有些是吸水的影響。
PC上鍍膜最好鍍一個打底層，如SIO2或者AL2O3打底，對膜裂會有很大的改善。 Q_M:v  
另外如果可以的話用離子源輔助鍍膜，也會對吸水造成的膜裂會有改善。 LQ3J$N  
....... (2021-01-16 17:25)  NB?y/v  

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多謝專家的指導(dǎo)，我們再驗證一下！ bbxo!K m"  
另外請問專家有沒有硬化液推薦的，PC硬化后再鍍膜的方案我們也想驗證一下。 :zLeS-  
謝謝！

PC鍍膜的要注意以下幾點： BNpc-O~  
1. 打底層最好用TiO2，厚度要＞10nm，不要用SiO2和Al2O3打底，效果不好，百格易NG；
8KyF0r?  
2. 機器不要加熱，離子源的能量要設(shè)計成一個漸變的過程，一般我的經(jīng)驗是：前2層的離子源能量是后面層的80%； ;
/=6~%  
3. 如果機器有2次電子捕捉器一定要裝上，并且每爐清潔； i*2l4