二維層狀原子晶體材料的物理性能（如帶隙等）隨厚度減小而變化，在光子和光電子器件的應(yīng)用中具有廣闊前景。光電探測(cè)器作為重要的光電應(yīng)用單元器件，引發(fā)學(xué)界廣泛關(guān)注，近年來基于二維原子晶體材料的光電晶體管成為最主要的關(guān)注對(duì)象之一。除半金屬的石墨烯之外，半導(dǎo)體二維原子晶體材料（如過渡金屬硫?qū)倩�合物、II-VI族、Ⅲ-VI族層狀半導(dǎo)體等）是光電探測(cè)器溝道材料的優(yōu)良候選者。然而，由于在大柵極電壓下存在較大的暗電流，光開關(guān)比和光響應(yīng)率小是基于這些二維原子晶體材料的光電探測(cè)器存在的問題。硒化銦（InSe）作為一種典型的二維層狀Ⅲ-VI族半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)性能（載流子遷移率~10⁴ cm² V^-1s^-1）和適中且可調(diào)的直接帶隙，光譜響應(yīng)覆蓋了從近紅外到紫外的范圍，在光電器件中表現(xiàn)出潛力。因此，如何優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)并充分發(fā)揮其在光電探測(cè)器領(lǐng)域的作用，成為科研人員重點(diǎn)關(guān)注的關(guān)鍵問題。　 2om:S+3)2  
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中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心納米物理與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員、中科院院士高鴻鈞帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)長期致力于研究新型二維原子晶體材料的制備、物性調(diào)控及原型器件構(gòu)筑等，并獲得了一系列重要研究成果。例如，他們實(shí)現(xiàn)黑磷的電子摻雜，并構(gòu)筑出黑磷柵控二極管、邏輯反相器、雙向整流器等一系列平面器件（Nano Lett. 16, 6870 (2016)），進(jìn)一步利用交聯(lián)PMMA作為頂柵、SiO₂作為背柵，通過雙柵調(diào)控實(shí)現(xiàn)黑磷的單極性（N型或P型）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（2D Mater. 4, 025056 (2017)）。 [voZ=+/