近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院、中科院強(qiáng)耦合量子材料物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室及合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家研究中心教授肖正國研究組，在大面積制備鈣鈦礦LED領(lǐng)域取得進(jìn)展。該研究團(tuán)隊(duì)使用基于氣刀輔助的刮涂法制備出大面積、高效率的鈣鈦礦LED，向鈣鈦礦LED照明的商業(yè)應(yīng)用邁進(jìn)了一步。相關(guān)研究成果以Large-area and efficient perovskite light-emitting diodes via low-temperature blade-coating為題，發(fā)表在《自然-通訊》雜志上。 P#,;)HF  
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金屬鹵化物鈣鈦礦LED因?yàn)榫哂猩�域廣、帶隙易于調(diào)節(jié)、發(fā)光半峰寬窄、易于制備等優(yōu)勢，已成為新一代的LED器件。2014年，科學(xué)家首次報(bào)道室溫下發(fā)光的鈣鈦礦LED，其外量子效率（EQE）低于1%，短短幾年內(nèi)鈣鈦礦LED的EQE就已超過了20%，接近于商用有機(jī)LED（OLED）的水平，在照明和顯示領(lǐng)域展示出廣闊的應(yīng)用前景。然而，目前高效率的鈣鈦礦LED均是基于旋涂法制備而成的，器件面積都很小(mm²量級)，無法滿足大面積商業(yè)照明的需求。刮涂法是一種基于溶液法就能制備出大面積薄膜的方法，但刮涂法制備鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶過程不易控制，制備的鈣鈦礦LED的EQE最高僅為1.1%，其器件面積也僅為9mm²。 B]@25  
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針對以上問題，肖正國課題組以有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦CH3NH3PbI3為研究對象，通過降低鈣鈦礦前驅(qū)液的濃度，引入4-氟苯甲胺，并結(jié)合氣刀輔助的方法，使薄膜結(jié)晶過程中形成更多的成核位點(diǎn)，從而制備出均勻致密的鈣鈦礦多晶薄膜，薄膜的表面粗糙度僅為0.8 nm。采用刮涂法制備的大面積鈣鈦礦薄膜（6 cm×9 cm），在厚度、表面粗糙度、熒光產(chǎn)率以及熒光壽命等方面均展現(xiàn)出良好的均勻性。采用刮涂法制備的鈣鈦礦LED器件的EQE最高達(dá)16.1%（0.04 cm²）以及12.7%（1 cm²）。超大面積（28 cm²）的鈣鈦礦LED工作時(shí)發(fā)出了非常均勻的紅光。同時(shí)，課題組采用刮涂法制備出基于PEN/ITO襯底的柔性鈣鈦礦LED，為制備大面積柔性光電子器件奠定了基礎(chǔ)。以上工作顯示了刮涂法制備大面積、高效率的鈣鈦礦LED的可行性以及將其應(yīng)用于商業(yè)LED照明的前景。 JhfVm*,  
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