有很多的過程可以被稱之為反演工程，但在Essential Macleod中，該術(shù)語的意思是用來識別理想設(shè)計(jì)的和實(shí)際生產(chǎn)嘗試之間的差異。該功能大致可以概括為“出了什么問題”。這一過程類似于優(yōu)化，在優(yōu)化過程中，將初始設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化，以滿足一組優(yōu)化目標(biāo)。優(yōu)化的目標(biāo)是測量出來的、有問題的膜層性能，但有的時(shí)候會有很復(fù)雜的情況。在正常的優(yōu)化中，經(jīng)常會有多個(gè)解決方案，但是，由于我們通常會從中選擇一個(gè)合適的設(shè)計(jì)，所以多個(gè)解決方案很少會帶來麻煩。在反演工程中，只有一個(gè)正確答案，多個(gè)解決方案可能是災(zāi)難性的，那么怎么才能知道我們是否得到了正確的答案？這一點(diǎn)沒有完全嚴(yán)格的測試方法，因此我們只能利用所掌握的關(guān)于鍍膜的所有知識來評估結(jié)果的合理性。我們還利用我們的知識和經(jīng)驗(yàn)以及各種不同的約束來指導(dǎo)過程。同時(shí)，作為目標(biāo)的測量結(jié)果應(yīng)盡可能精確，這一點(diǎn)至關(guān)重要。因此，盡管反演工程本質(zhì)上是一個(gè)優(yōu)化器，但它的結(jié)構(gòu)與任何優(yōu)化工具都完全不同。 ,e;_
Vb x| r# 我們可以看一個(gè)在400nm至700nm區(qū)域NBK7玻璃上鍍減反射膜層反演工程中的應(yīng)用。這是使用四層SiO2和Ta2O5，我們在每個(gè)Ta2O5層中引入誤差，在第四層中，靠近基板厚度+10%，在較厚的第二層中厚度-10%。正確設(shè)計(jì)和錯(cuò)誤設(shè)計(jì)的反射率如圖1所示，其中考慮了基板背面的影響。 c=33O,_
*|6 *jU d)L,kzN 圖1.橙色曲線表示無誤差四層設(shè)計(jì)的性能，黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。
4{LKT^(!f 我們要做的第一件事就是通過File-New子菜單設(shè)置中創(chuàng)建新的反演工程。該工具立即要求導(dǎo)入正確的設(shè)計(jì)，圖2，Next，圖3，是我們需要的基板，默認(rèn)是從設(shè)計(jì)中讀取的。如果在后表面變黑或磨平的情況下測量性能為反射率，則應(yīng)使用Wedge屬性。最后，我們需要導(dǎo)入測量性能。圖4顯示了這個(gè)階段工具的外觀。 p$a+?5'Q
/ ~pB_l 圖2.反演工程工具的對話框，其中應(yīng)輸入無錯(cuò)誤設(shè)計(jì)的路徑。 R{q<V uN
SyI i*dH 圖3.反演工程中的第二個(gè)和第三個(gè)對話框，我們在其中輸入基板細(xì)節(jié)，然后輸入測量的性能。性能可以是反射率、透射率或橢圓參數(shù)。
E=t^I/f)E
L
|
#"Yn 圖4.輸入性能后，顯示屏將顯示測量的性能以及從正確設(shè)計(jì)中計(jì)算得出的性能。有各種可用的命令，可以減少目標(biāo)點(diǎn)的數(shù)量、阻止某些目標(biāo)區(qū)域等
Vn?|\3KY 可用兩種優(yōu)化技術(shù)：Simplex和Differential Evolution。和通常一樣，單純形速度更快，但更容易受到局部極小值的影響。通常我們先試試Simplex。每個(gè)技術(shù)都有一些相關(guān)的參數(shù)，然后對工具可以接受的變化量有限制。所有這些都是為了指導(dǎo)這個(gè)過程找到正確的解決方案。這些基本約束可以在控制參數(shù)對話框（圖5）中進(jìn)行調(diào)整，可以通過Adjust菜單進(jìn)行訪問。 p d .5 o_cAelI[! 圖5.控制參數(shù)對話框，可以在其中設(shè)置許多控制過程的參數(shù)。所示的選項(xiàng)卡允許設(shè)置一些控制層參數(shù)優(yōu)化的參數(shù)。Optimizer選項(xiàng)卡允許在Simplex和Differential Evolution之間進(jìn)行選擇。
B
!Z~ j
