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測量硅片 P+$:(I  
芯片為8*8mm，0.18 mm厚。每個TSV有一個直徑50 μm的銅填料和一個環(huán)形銅墊寬25 μm（缺陷尺寸直徑50 μm） B7!3-1<k>  
傳感器 \<g*8?yFs  
MER-502-79U3M POL相機采用Sony Pregius 全局快門 CMOS 技術(shù)的芯片IMX250 MZR ， ~s5SZK*  
該芯片為2/3英寸Sony 傳感器 ,幀曝光500萬像素CMOS偏振芯片2464 （H） x 2056 （V），但是電腦查看單幅像素1224*1024 [p<w._b