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在本示例中，模擬了衰減相移掩模。 該掩模將線/空間圖案成像到光刻膠中。 掩模的單元格如下圖所示： h4xf%vA(;
[/`Hz]R
 $/sZYsN~T %QcG^R 掩模的基板被具有兩個開口的吸收材料所覆蓋。在其中一個開口的下方，位于相移區(qū)域。 V,%5
hl'&
a!]QD` 由于這個例子是所謂的一維掩模(線/空間模式)，在xy平面中有一個2D仿真域。在源文件中設(shè)置3DTo2D = yes標(biāo)簽，以執(zhí)行用戶自定義傳入方向的自動轉(zhuǎn)換。啟用此標(biāo)記后，就可以描述傳入?yún)^(qū)域，就好像光軸與Z軸重合一樣。這允許統(tǒng)一設(shè)置2D和3D的掩模模擬項目。由于光線從基板下方進入，光線的傳輸方向為+Z方向。 Hw-oh?=
IF21T 相位分布如下圖所示： e Eb1R} @
/3HWP `<x
 At_Y$N: Bd]DhPhJ 相移區(qū)域的影響清晰可見，導(dǎo)致開口上方光束的180度相位差。同時光場的S和P分量也顯示出相位差： +_K;Pj]x
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x QQ：2987619807 ]3cf}Au
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