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    [分享]高亮度LED封裝工藝及方案 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2007-03-15
    關(guān)鍵詞: LED
    摘 要 kdq<)>"  
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    隨著手機(jī)閃光燈、大中尺寸(NB、LCD-TV等)顯示屏光源模塊以至特殊用途照明系統(tǒng)之應(yīng)用逐漸增多。末來再擴(kuò)展至用于一般照明系統(tǒng)設(shè)備,采用白光LED技術(shù)之大功率(High Power)LED市場將陸續(xù)顯現(xiàn)。在技術(shù)方面,現(xiàn)時遇到最大挑戰(zhàn)是提升及保持亮度,若再增強(qiáng)其散熱能力,市場之發(fā)展深具潛力。 {pWb*~!k  
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    With the increasing application of mobile flashlight, large and medium sizes displays (NB, LCD-TV), illumination system in special usage and other future development in illumination devices, high power LED with white light LED in entering the market in succession. The biggest challenge present is how to raise and keep the brightness. If the capability of heat radiating can be boosted up, the technology will have more powerful market potential. ,0pCc<  
    7O.?I# 76  
    近年來,隨著LED生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展一日千里,令其發(fā)光亮度提高和壽命延長,加上生產(chǎn)成本大幅降低,迅速擴(kuò)大了LED應(yīng)用市場,如消費(fèi)產(chǎn)品、訊號系統(tǒng)及一般照明等,于是其全球市場規(guī)模快速成長。2003年全球LED市場約44.8億美元 (高亮度LED市場約27億美元),較2002年成長17.3% (高亮度LED市場成長47%),乘著手機(jī)市場繼續(xù)增長之勢,預(yù)測2004年仍有14.0%的成長幅度可期。 v0aV>-v  
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    在產(chǎn)品發(fā)展方面,白光LED之研發(fā)則成為 廠商們之重點(diǎn)開發(fā)項(xiàng)目,F(xiàn)時制造白光LED方法主要有四種: 1QA{NAnu&  
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    一、藍(lán)LED+發(fā)黃光的螢光粉(如:YAG) og?>Q i Tr  
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    二、紅LED+綠LED+藍(lán)LED Y5/SbQYf1  
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    三、紫外線LED+發(fā)紅/綠/藍(lán)光的螢光粉 xj!G9x<!  
    nt:d,H<p  
    四、藍(lán)LED+ZnSe單結(jié)晶基板 7Rq|N$y.3  
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    目前手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、PDA等背光源所使用之白光LED采用藍(lán)光單晶粒加YAG螢光而成。隨著手機(jī)閃光燈、大中尺寸(NB、LCD-TV等)顯示屏光源模塊以至特殊用途照明系統(tǒng)之應(yīng)用逐漸增多。末來再擴(kuò)展至用于一般照明系統(tǒng)設(shè)備,采用白光LED技術(shù)之大功率(High Power)LED市場將陸續(xù)顯現(xiàn)。在技術(shù)方面,現(xiàn)時遇到最大挑戰(zhàn)是提升及保持亮度,若再增強(qiáng)其散熱能力,市場之發(fā)展深具潛力。 RE<s$B$[  
    i"_@iN0N  
    ASM在研發(fā)及生產(chǎn)自動化光電組件封裝設(shè)備上擁有超過二十年經(jīng)驗(yàn),業(yè)界現(xiàn)行有很多種提升LED亮度方法,無論從芯片及封裝設(shè)計(jì)層面,至封裝工藝都以提升散熱能力和增加發(fā)光效率為目標(biāo)。在本文中,就LED封裝工藝的最新發(fā)展和成果作概括介紹及討論。 hI#1Ybl  
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    芯片設(shè)計(jì) >WZ_) `R  
    VpO+52&  
    從芯片的演變歷程中發(fā)現(xiàn),各大LED生產(chǎn)商在上游磊晶技術(shù)上不斷改進(jìn),如利用不同的電極設(shè)計(jì)控制電流密度,利用ITO薄膜技術(shù)令通過LED的電流能平均分布等,使LED芯片在結(jié)構(gòu)上都盡可能產(chǎn)生最多的光子。再運(yùn)用各種不同方法去抽出LED發(fā)出的每一粒光子,如生產(chǎn)不同外形的芯片;利用芯片周邊有效地控制光折射度提高LED取光效率,研制擴(kuò)大單一芯片表面尺寸(>2mm2)增加發(fā)光面積,更有利用粗糙的表面增加光線的透出等等。有一些高亮度LED芯片上p-n兩個電極的位置相距拉近,令芯片發(fā)光效率及散熱能力提高。而最近已有大功率LED的生產(chǎn),就是利用新改良的激光溶解(Laser lift-off)及金屬黏合技術(shù)(metal bonding),將LED磊晶晶圓從GaAs或GaN長晶基板移走,并黏合到另一金屬基板上或其它具有高反射性及高熱傳導(dǎo)性的物質(zhì)上面,幫助大功率LED提高取光效率及散熱能力。 v<AFcY   
    +7V4mF!u  
    封裝設(shè)計(jì)