12月16日，索尼半導體解決方案宣布其已成功開發(fā)出全球首個雙層晶體管像素堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術，飽和信號量約提升至 2 倍，使動態(tài)范圍擴大并降低噪點。

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傳統(tǒng) CMOS 圖像傳感器的光電二極管和像素晶體管分布在同一基片，而索尼的新技術將光電二極管和像素晶體管分離在不同的基片層。與傳統(tǒng)圖像傳感器相比，這一全新的結構使飽和信號量約提升至原來的 2 倍，擴大了動態(tài)范圍并降低噪點，從而顯著提高成像性能。采用新技術的像素結構，無論是在當前還是更小的像素尺寸下，都能保持或是提升像素現有的特性。

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（傳統(tǒng)的）堆疊式 CMOS 圖像傳感器的堆疊式結構中，背照式像素組成的像素芯片堆疊在邏輯芯片之上，而信號處理電路構成了邏輯芯片。在像素芯片內，用于將光轉換為電信號的光電二極管和用于控制信號的像素晶體管在同一基片層并列。在這樣的結構限制下，如何實現飽和信號量的最大化，對實現高動態(tài)范圍、高圖像質量的攝影具有重要作用。

索尼開發(fā)出的全新結構是堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術的一項進步。索尼使用專有的堆疊技術，將光電二極管和像素晶體管封裝在分離的基片上，一個堆疊在另一個上面。相比之下，在傳統(tǒng)的堆疊式 CMOS 圖像傳感器中，光電二極管和像素晶體管并排位于同一基片上。新的堆疊技術支持采用可以獨立優(yōu)化光電二極管和像素晶體管層的架構，從而使飽和信號量相比于傳統(tǒng)圖像傳感器增加約一倍，進而擴大動態(tài)范圍。

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此外，因為傳輸門 (TRG) 以外的像素晶體管，包括復位晶體管 (RST)、選擇晶體管 (SEL) 和放大晶體管 (AMP)，都處于無光電二極管分布這一層，所以放大晶體管（AMP）的尺寸可以增加。通過增加放大晶體管尺寸，索尼成功地大幅降低了夜間和其他昏暗場景下圖像容易產生的噪點問題。

據了解，這項新技術使動態(tài)范圍擴大并降低了噪點，能避免在明亮和昏暗照明相結合的環(huán)境中（如背光環(huán)境）出現曝光不足和曝光過度的問題，甚至在低光（如室內、夜間）環(huán)境中也能得到高質量、低噪點的圖像。

索尼稱，將通過該技術為實現越來越高質量的成像，如智能手機拍照做出貢獻。