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在本示例中，模擬了衰減相移掩模。 該掩模將線/空間圖案成像到光刻膠中。 掩模的單元格如下圖所示： CwjKz*'[g
o[I
s$j
 8u%rh[g' ~"J7=u1o 掩模的基板被具有兩個(gè)開口的吸收材料所覆蓋。在其中一個(gè)開口的下方，位于相移區(qū)域。 >//yvkZ9,
= }ELu@\V[ 由于這個(gè)例子是所謂的一維掩模(線/空間模式)，在xy平面中有一個(gè)2D仿真域。在源文件中設(shè)置3DTo2D = yes標(biāo)簽，以執(zhí)行用戶自定義傳入方向的自動(dòng)轉(zhuǎn)換。啟用此標(biāo)記后，就可以描述傳入?yún)^(qū)域，就好像光軸與Z軸重合一樣。這允許統(tǒng)一設(shè)置2D和3D的掩模模擬項(xiàng)目。由于光線從基板下方進(jìn)入，光線的傳輸方向?yàn)?Z方向。 @[LM8 @:
4V<.:.k 相位分布如下圖所示： KzZfpdI92
ECsb ?n7e
 0VnRtLnqI l&|Tb8_' 相移區(qū)域的影響清晰可見，導(dǎo)致開口上方光束的180度相位差。同時(shí)光場的S和P分量也顯示出相位差： |.OS7Gt?
'7<^x>D|
 : ]JMsa6
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