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在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1] nsV=  
耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] ]WcN6|b+  
錐形耦合器實(shí)際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2] DC BN
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錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過(guò)渡。 eMV8`&c'  
        選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺(tái)，因?yàn)樗�提供高折射率比，包括二氧化硅層作�?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=光學(xué)',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_1">光學(xué)緩沖器，并允許與集成電子電路兼容。[2] H;tE=  
     HmU6:8V *Z  
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        [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) 8s[1-l
 
        [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); v*As:;D_  
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