?+o7Y1 k, ?|yJ #j1= 在高約束
芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是
光柵或錐形耦合器。[1]
^q r[?ky]& 耦合器由高折射率比
材料組成，是基于具有
納米尺寸尖端的短錐形。[2]
]r5Xp#q2 錐形耦合器實(shí)際上是
光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2]
3Pe JPw 錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。
4zb V' ] 選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺(tái)，因?yàn)樗峁└哒凵渎时�，包括二氧化硅層作�?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=光學(xué)',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_1">光學(xué)緩沖器，并允許與集成
電子電路兼容。[2]
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O3 
PP|xIAc [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
uoc- qmm [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
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