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    [技術(shù)]OptiBPM:創(chuàng)建一個簡單的多模干涉(MMI)耦合器 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2022-09-27
    主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個簡單的多模干涉耦合器,主要步驟如下: .N2yn`  
    • 定義MMI耦合器的材料; pRI<L'  
    • 定義布局設(shè)定; T=r-6eN  
    • 創(chuàng)建一個MMI耦合器; ~^d. zIN!  
    • 插入輸入面; iEx.BQ+  
    • 運行模擬; HT]W2^k  
    • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。 m|q?gX9R  
    kwxb~~S}h(  
    1. 定義MMI耦合器的材料 H QHFD0hv  
        為了定義MMI耦合器的材料,需要進行如下操作: n\d`Fk  
    1) 通過File-New打開“初始性能對話框(Initial Properties)“ *Q2;bmIc  
    圖1.初始性能對話框
    .5Y%I;~v  
    bwh7.lDAl  
    2) 點擊圖1中的“輪廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“輪廓設(shè)計窗口(Profile Designer)” O7@CAr  
    圖2.輪廓設(shè)計窗口
    l`lo5:w  
    ` nBCCz'Y!  
    3) 右鍵單擊圖2中材料(Materials)標簽下的“電介質(zhì)(Dielectric)“,選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 &qw7BuF  
    F) w.q  
        
    圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
    ").MU[q%Y  
    *r!f! eA:  
    4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料: l;i,V;@ t  
    − Name : Guide _&S?uz m  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 TDI8L\rr  
    − 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 >55c{|"@L  
    圖4.創(chuàng)建Guide材料
    JA W}]:jC  
    &`>[4D*  
    5) 重復(fù)步驟3)和4),創(chuàng)建第二種電解質(zhì)材料: }~P%S(zB  
    − Name : Cladding kp3(/`xP  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 |8I #`  
    − 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 V:F;Nq%+j  
          
    圖5.左圖為創(chuàng)建Cladding材料,右圖為材料創(chuàng)建成功后電解質(zhì)材料標簽下的顯示 (]7*Kq  
    [6x-c;H_4  
    6) 雙擊Profiles標簽下的Channel-Channel1,進入通道編輯窗口,構(gòu)建通道: ;\`~M  
    − Name : Guide_Channel bc}X.IC  
    − 2D profile definition: Guide :xw2\:5~0  
    − 點擊“Store”保存創(chuàng)建的通道并關(guān)閉通道編輯窗口,關(guān)閉Profile Designer窗口 (]wi^dE  
    圖6.構(gòu)建通道
    )6|7L)Dk  
    2. 定義布局設(shè)定 H5t 9Mg|  
        為了定義布局設(shè)定,需要在“初始性能對話框(Initial Properties)”窗口進行以下操作: j,Sg?&"%=  
    1) 點擊“默認波導(dǎo)(Default Waveguide)”標簽 W- wy<<~f  
    − Width:2.8 H <CsB  
    注意:所有的波導(dǎo)將會使用此設(shè)定以作為默認厚度 *]2LN$  
    − Profile:Channel-Guide xsK{nM6g  
    .0]4@'  
    圖7.默認波導(dǎo)標簽下“Width”以及“Profile”設(shè)置 r\]yq -_  
             2) 切換到“晶圓尺寸(Wafer Dimension)”標簽: Oq"(oNG@  
    − Length:5300− Width:60 /x.TF'Z*  
             +3.Ik,Z}zq  
    圖8.設(shè)置晶圓尺寸 2mL1BG=Yk  
    3) 切換到“2D晶圓屬性(2D Wafer Properties)”標簽:− Material:Cladding >}QRMn|@H  
    − 點擊OK以激活布局窗口 tq=1C=h  
    圖9.晶圓材料設(shè)置 Dd|}LV  
    4) 布局窗口 tf64<j6  
    :0o $qz2  
    圖10.默認情況下布局窗口顯示 &d`T~fl|  
    5) 調(diào)整顯示比率,以便更好進行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)布局設(shè)置:− View-Layout Options以激活布局設(shè)置選項窗口 /nXp5g^6(  
    − Display ratio : Z=40,點擊OK,如圖11所示− 調(diào)整縮放比率為0.6 ,最終布局顯示如圖12所示 AoHA+>&U  
    n<MMO=+bg  
    圖11.調(diào)整Z方向和X方向的顯示比率 8?] :>  
     [+$l/dag  
    圖12.最終布局顯示 CCKg,v