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    [討論]求助各位大佬，怎么才能過雙85環(huán)測？ [復制鏈接]

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    離線tfcalc68
     
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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2023-03-17
    用MGF2+H4這兩種材料，什么工藝才能過雙85環(huán)測呀？ .MzVc42<  
    目前試過：設定溫度320℃，MGF2速率3.0A/S，H4速率1.5A/S，最后鍍15nm  SIO2，速率1.5A/S，MGF2打底層，高溫高濕脫膜，看上去像是最外層膜脫落 |KHaL?  
    也試過：320℃，MGF2速率5.0A/S，H4速率3.0A/S，最外層鍍10nm金剛膜，MGF2打底層，高溫高濕有亞克，太陽輻照脫膜 5mxYzu;#]  
    用這兩種材料能過環(huán)測嗎？人都麻了
     
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    離線tfcalc68
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    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2023-03-17
    APC充氧流量的多少有什么影響嗎？
    離線tfcalc68
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    只看該作者 2樓 發(fā)表于: 2023-03-17
    沒人給點意見嗎？
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    只看該作者 3樓 發(fā)表于: 2023-03-22
    上離子源
    離線yzhuang
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    只看該作者 4樓 發(fā)表于: 2023-03-30
    MgF2換成SiO2，損失一些光學性能，換來更好的穩(wěn)定性。
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    只看該作者 5樓 發(fā)表于: 2023-03-31
    建議測一下溫度，鍍膜時基片至少要在270°，起始真空度2.0E-3，H4充氧少一點，6.0E-3左右
    離線flyinlove79
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    只看該作者 6樓 發(fā)表于: 2023-05-26
    氧化硅蒸發(fā)速率太小了，膜層太疏松吸潮后很容易脫膜
    離線knight627
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    只看該作者 7樓 發(fā)表于: 2023-06-08
    不太理解為什么要用sio2+mgf2最外層這結構，無論是光譜還是致密性也應該是mgf2 或者mgf2+sio2更好，SIO2本就是柱狀結構