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    [技術(shù)]OptiBPM:創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單的多模干涉(MMI)耦合器 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2023-08-31
    主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單的多模干涉耦合器,主要步驟如下: A*]sN8  
    • 定義MMI耦合器的材料; f{(D+7e}  
    • 定義布局設(shè)定; <hgfgk7<  
    • 創(chuàng)建一個(gè)MMI耦合器; o6 :]Hvqjr  
    • 插入輸入面; C,<FV+r=^  
    • 運(yùn)行模擬; criNeKa  
    • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。 /|v b)J  
    o7v9xm+  
    1. 定義MMI耦合器的材料 !(j<Y0xo:  
    為了定義MMI耦合器的材料,需要進(jìn)行如下操作: b0N7[M1Xl  
    1) 通過File-New打開“初始性能對(duì)話框(Initial Properties)“ nIUts?mB  
    ^'b\OUty-  
    圖1.初始性能對(duì)話框
    IG:CWPU  
    2) 點(diǎn)擊圖1中的“輪廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“輪廓設(shè)計(jì)窗口(Profile Designer)” ySlGqR1H  
    PnI_W84z  
    圖2.輪廓設(shè)計(jì)窗口
    >T\^dHtz  
    3) 右鍵單擊圖2中材料(Materials)標(biāo)簽下的“電介質(zhì)(Dielectric)“,選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 h4~VzCR4x\  
    OZ<fQf.Gh}  
    ,A0v 5Q<  
    圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
    9}G<\y  
    4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料: [bBPs&7u  
    − Name : Guide [F,s=,S'M  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 --7@rxv  
    − 點(diǎn)擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 R:44Gv7  
    VY!A]S"  
    圖4.創(chuàng)建Guide材料
    5^2P\y(?  
    5) 重復(fù)步驟3)和4),創(chuàng)建第二種電解質(zhì)材料: "@jYZm8  
    − Name : Cladding ?