主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單的多模干涉耦合器,主要步驟如下: A*]sN8 • 定義MMI耦合器的材料; f{(D+7e} • 定義布局設(shè)定; <hgfgk7< • 創(chuàng)建一個(gè)MMI耦合器; o6:]Hvqjr • 插入輸入面; C,<FV+r=^ • 運(yùn)行模擬; criNeKa • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。 /|v
b)J o7v9xm+ 1. 定義MMI耦合器的材料 !(j<Y0xo: 為了定義MMI耦合器的材料,需要進(jìn)行如下操作: b0N7[M1Xl 1) 通過File-New打開“初始性能對(duì)話框(Initial Properties)“ nIUts?mB ^'b\OUty- 圖1.初始性能對(duì)話框
IG:CWPU 2) 點(diǎn)擊圖1中的“輪廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“輪廓設(shè)計(jì)窗口(Profile Designer)” ySlGqR1H PnI_W84z 圖2.輪廓設(shè)計(jì)窗口
>T\^dHtz 3) 右鍵單擊圖2中材料(Materials)標(biāo)簽下的“電介質(zhì)(Dielectric)“,選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 h4~VzCR4x\
OZ<fQf.Gh} ,A0v 5Q< 圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
9}G<\y 4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料: [bBPs&7u − Name : Guide [F,s=,S'M − Refractive Index (Re) : 3.3 --7@rxv − 點(diǎn)擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 R:44Gv7 VY!A]S" 圖4.創(chuàng)建Guide材料
5^2P\y(? 5) 重復(fù)步驟3)和4),創(chuàng)建第二種電解質(zhì)材料: "@jYZm8 − Name : Cladding ?