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    [技術(shù)]OptiBPM：創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單的多模干涉（MMI）耦合器 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2023-08-31
    主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單的多模干涉耦合器，主要步驟如下： YL_!#<k@  
    • 定義MMI耦合器的材料； Di]Iy  
    • 定義布局設(shè)定； Ebmqq#SHjX  
    • 創(chuàng)建一個(gè)MMI耦合器； BZ8h*|uT"  
    • 插入輸入面； sz){uOI  
    • 運(yùn)行模擬； bkJn}Al;  
    • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。 <%T%NjNPQ  
    zkw0jX~  
    1. 定義MMI耦合器的材料 wpJ^}+kF  
    為了定義MMI耦合器的材料，需要進(jìn)行如下操作： IiQWs1  
    1) 通過File-New打開“初始性能對(duì)話框（Initial Properties）“ P1vF{e  
    c'>8pd  
    圖1.初始性能對(duì)話框
    Qq6%53  
    2) 點(diǎn)擊圖1中的“輪廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“輪廓設(shè)計(jì)窗口（Profile Designer）” JT}dor  
    im_0ur&'  
    圖2.輪廓設(shè)計(jì)窗口
    1WZKQeOo  
    3) 右鍵單擊圖2中材料（Materials）標(biāo)簽下的“電介質(zhì)（Dielectric）“，選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 Fvcq^uZ  
     7~QwlU3n<F  
    rl_1),J\qG  
    圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
    h=mI{w*  
    4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料： uT@8 _9  
    − Name : Guide y$"~^8"z  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 p2M?pV  
    − 點(diǎn)擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 c'm-XL_La  
    !)=#p9  
    圖4.創(chuàng)建Guide材料
    KG7X8AaK#  
    5) 重復(fù)步驟3）和4），創(chuàng)建第二種電解質(zhì)材料：  yS(=eB_  
    − Name : Cladding H>Iet}/c   
    − Refractive Index (Re) : 3.27 S@l a.0HDA  
    − 點(diǎn)擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 @vDgpb@TM  
    4B%5-VQ  
          
    圖5.左圖為創(chuàng)建Cladding材料，右圖為材料創(chuàng)建成功后電解質(zhì)材料標(biāo)簽下的顯示  $Adp  
    6) 雙擊Profiles標(biāo)簽下的Channel-Channel1，進(jìn)入通道編輯窗口，構(gòu)建通道： ahz@HX  
    − Name ： Guide_Channel ` Mv5!H5l  
    − 2D profile definition: Guide '3Y0D1`v  
    − 點(diǎn)擊“Store”保存創(chuàng)建的通道并關(guān)閉通道編輯窗口，關(guān)閉Profile Designer窗口 J/H#d')c  
    '8((;N|I^  
    圖6.構(gòu)建通道
    2. 定義布局設(shè)定 3L\s8O  
    為了定義布局設(shè)定，需要在“初始性能對(duì)話框（Initial Properties）”窗口進(jìn)行以下操作： 8#d99dOe  
    1) 點(diǎn)擊“默認(rèn)波導(dǎo)（Default Waveguide）”標(biāo)簽 #z1ch,*3;  
    − Width：2.8 ({}O M=_  
    注意：所有的波導(dǎo)將會(huì)使用此設(shè)定以作為默認(rèn)厚度 z;Gbqr?{{  
    − Profile：Channel-Guide 8EVF<@{]  
    圖7.默認(rèn)波導(dǎo)標(biāo)簽下“Width”以及“Profile”設(shè)置
    tS*^}e*  
    cC(ubUR  
    2) 切換到“晶圓尺寸（Wafer Dimension）”標(biāo)簽： Q?I"J$]&L  
    − Length：5300 "|~B};|MFF  
    − Width：60 U_=wL  
    圖8.設(shè)置晶圓尺寸
    Iu)(Huv  
    {?kKpMNNn  
    3) 切換到“2D晶圓屬性（2D Wafer Properties）”標(biāo)簽： WhVmycdv  
    − Material：Cladding R*c0NJF  
    − 點(diǎn)擊OK以激活布局窗口 _tR.RAaa"  
    圖9.晶圓材料設(shè)置
    lpX p )r+  
    `U?H^,FVA  
    4) 布局窗口 9_CA5?y$:  
    圖10.默認(rèn)情況下布局窗口顯示
    f T+n-B  
    V.G9J!?<P  
    5) 調(diào)整顯示比率，以便更好進(jìn)行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)布局設(shè)置： D