鍍膜工藝:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高溫鍍膜:320度,無(wú)IAD,有這種現(xiàn)狀)
H7?Sd(U 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高溫鍍膜:120度,IAD,有這種現(xiàn)狀)
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HD!2|b~@ N;mJHr3[F
_2~+%{/m, \ Dccf_(Pb 鍍膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
cP2n,>: 鍍膜下機(jī)確認(rèn)無(wú)這種現(xiàn)象,放置24H后,表面開(kāi)始吸附東西。