零維鹵化物納米晶的窄帶發(fā)光與X射線成像取得進展
近日,南京理工大學物理學院超快光物理研究所陸瑞鋒教授團隊在零維鹵化物納米晶的窄帶發(fā)光與X射線成像的研究方面取得進展,相關(guān)研究成果發(fā)表在Wiley著名學術(shù)期刊《Advanced Materials》上,其中南京理工大學為第一完成單位,我校陸瑞鋒教授、趙琨教授和山東大學韓沛耿博士為共同通訊作者,我校物理學院博士生周緯和講師于洋為共同第一作者,博士生吳桐、李誠同學為共同作者。論文題目為“Sb-Doped Cs3TbCl6 Nanocrystals for Highly Efficient Narrow-Band Green Emission and X-Ray Imaging”。 非鉛金屬鹵化物鈣鈦礦由于其較高的量子產(chǎn)率、易調(diào)節(jié)的發(fā)光光譜與帶隙、良好的穩(wěn)定性以及環(huán)境友好等優(yōu)點,在光伏與光電器件領(lǐng)域有著極大的應(yīng)用潛力。非鉛鈣鈦礦家族種類多樣,結(jié)構(gòu)可調(diào),為元素摻雜提供了有利的條件,因此可對其吸收與發(fā)光光譜進行調(diào)控并實現(xiàn)性能的增強,增加其應(yīng)用于光電器件的潛力。 具有高光致發(fā)光量子產(chǎn)率的金屬鹵化物納米晶是用于照明、顯示和X射線檢測的理想材料。本工作設(shè)計了一種零維鑭系鹵化物納米晶,進一步優(yōu)化了其發(fā)光和閃爍性能,揭示了其發(fā)光機理、激子動力學并探索了其在光電領(lǐng)域的應(yīng)用。Sb3+摻雜的零維Cs3TbCl6納米晶具有8.6 nm半峰全寬的窄帶綠光發(fā)射,且達到了48.1%的量子產(chǎn)率,比未摻雜的納米晶提高了三倍。結(jié)合實驗和第一性原理計算,發(fā)現(xiàn)零維納米晶中的激子高度局域在[TbCl6]3−八面體上,這促進了 Cl−-Tb3+之間的電荷轉(zhuǎn)移,從而產(chǎn)生明亮的Tb3+綠光發(fā)射。Sb3+的引入不僅促進了光子吸收躍遷,而且在[SbCl6]3−誘導的自陷態(tài)輔助下實現(xiàn)了一個更有效的熱活化能量傳遞通道,這是摻雜體系中發(fā)光增強的根本原因。與未摻雜的樣品相比,Cs3TbCl6: Sb3+納米晶體的高發(fā)光效率和可忽略的自吸收實現(xiàn)了更靈敏的X射線檢測響應(yīng)。該研究為深入理解金屬鹵化物納米材料的激發(fā)態(tài)動力學打開了一個新的視角,為開發(fā)高性能的鑭系納米發(fā)光材料提供了新思路。 上述工作得到了國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金、江蘇省自然科學基金的支持。 |