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“三合一”有機(jī)發(fā)光晶體管:集開關(guān)、發(fā)光和存儲功能

發(fā)布:cyqdesign 2023-11-16 20:15 閱讀:1278
近日,北京大學(xué)深圳研究生院新材料學(xué)院孟鴻教授團(tuán)隊(duì)在《先進(jìn)材料》(Advanced Materials)上發(fā)表題為“Nonvolatile Memory Organic Light-Emitting Transistors”的研究論文。 }&D32\  
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當(dāng)前AMOLED顯示面板正朝著低能耗、大尺寸、超高清等方向發(fā)展,對其驅(qū)動芯片的像素電路集成度和性能也必然會提出更高的要求。然而,隨著摩爾定律的發(fā)展,依靠“微縮”器件尺寸來提升集成度的傳統(tǒng)技術(shù)已不斷逼近并超越光刻等微細(xì)加工技術(shù)的極限,使得繼續(xù)縮小器件尺寸變得日益艱難。如何在有限的芯片面積內(nèi)進(jìn)一步提升像素電路的集成度,便成為了行業(yè)面臨的一個重大挑戰(zhàn)。 pZy~1L  
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針對上述問題,孟鴻與徐妹娌博士后提出并開展了集開關(guān)發(fā)光存儲功能于一體的有機(jī)發(fā)光晶體器件研究。相比傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光晶體管,基于存儲型有機(jī)發(fā)光晶體管的顯示技術(shù)具有更高集成度和更高像素開口率的優(yōu)勢。該項(xiàng)研究通過探究鐵電聚合物的鐵電效應(yīng),利用其剩余極化特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了有機(jī)發(fā)光晶體管的非易失性存儲行為,并揭示了其存儲機(jī)制;通過亮度保持特性和重復(fù)擦寫循環(huán)測試的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,證明了其可靠的非易失性存儲操作;這種多功能一體化的有機(jī)發(fā)光晶體管為有機(jī)顯示像素電路的設(shè)計(jì)提供了一種新的技術(shù)方案。此外,通過優(yōu)化鐵電層和溝道層之間的界面特性,有機(jī)發(fā)光晶體管器件性能顯著提升,場效應(yīng)遷移率和發(fā)光亮度值分別提高20倍和5倍。 1iF1GkLEq  
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集開關(guān)、發(fā)光和存儲功能于一體的有機(jī)發(fā)光晶體管器件及其存儲與發(fā)光性能圖
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孟鴻為該論文通訊作者,徐妹娌為論文的第一作者,北京大學(xué)深圳研究生院賀耀武博士(半導(dǎo)體材料合成)和高源鴻工程師(文章修改)為共同通訊作者。該研究工作得到國家自然科學(xué)基金委員會、廣東省基礎(chǔ)與應(yīng)用基礎(chǔ)研究基金委員會、深圳市發(fā)展和改革委員會和深圳市基礎(chǔ)研究項(xiàng)目的支持。 [/8%3  
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相關(guān)鏈接:https://doi.org/10.1002/adma.202307703
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最新評論

宿命233 2023-11-17 08:56
三合一”有機(jī)發(fā)光晶體管:集開關(guān)、發(fā)光和存儲功能
churuiwei 2023-11-17 09:07
北京大學(xué)深圳研究生院新材料學(xué)院孟鴻教授團(tuán)隊(duì)在《先進(jìn)材料》
楊森 2023-11-17 09:15
研究通過探究鐵電聚合物的鐵電效應(yīng),利用其剩余極化特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了有機(jī)發(fā)光晶體管的非易失性存儲行為,并揭示了其存儲機(jī)制
liu.wade 2023-11-17 09:30
“三合一”有機(jī)發(fā)光晶體管:集開關(guān)、發(fā)光和存儲功能
redplum 2023-11-17 09:38
感覺都是二極管
likaihit 2023-11-17 09:39
太厲害了
swy312 2023-11-17 09:41
當(dāng)前AMOLED顯示面板正朝著低能耗、大尺寸、超高清等方向發(fā)展,對其驅(qū)動芯片的像素電路集成度和性能也必然會提出更高的要求。
11yy 2023-11-17 09:49
提出并開展了集開關(guān)、發(fā)光存儲功能于一體的有機(jī)發(fā)光晶體管器件研究。相比傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光晶體管,基于存儲型有機(jī)發(fā)光晶體管的顯示技術(shù)具有更高集成度和更高像素開口率的優(yōu)勢。
田摸魚 2023-11-17 09:59
三合一  有機(jī)發(fā)光晶體管:集開關(guān)、發(fā)光和存儲功能
wmh1985 2023-11-17 10:54
當(dāng)前AMOLED顯示面板正朝著低能耗、大尺寸、超高清等方向發(fā)展,對其驅(qū)動芯片的像素電路集成度和性能也必然會提出更高的要求。然而,隨著摩爾定律的發(fā)展,依靠“微縮”器件尺寸來提升集成度的傳統(tǒng)技術(shù)已不斷逼近并超越光刻等微細(xì)加工技術(shù)的極限,使得繼續(xù)縮小器件尺寸變得日益艱難。如何在有限的芯片面積內(nèi)進(jìn)一步提升像素電路的集成度,便成為了行業(yè)面臨的一個重大挑戰(zhàn)。
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