據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，日本芯片制造商 Rapidus、東京大學(xué)將與法國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu) Leti 合作，共同開(kāi)發(fā)電路線(xiàn)寬為 1nm 級(jí)的新一代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)技術(shù)。 EO\@#",a  
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報(bào)道稱(chēng)，雙方將從明年開(kāi)始展開(kāi)人員交流、技術(shù)共享，法國(guó)研究機(jī)構(gòu) Leti 將貢獻(xiàn)其在芯片元件方面的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，以構(gòu)建供應(yīng) 1nm 產(chǎn)品的基礎(chǔ)設(shè)施。 7\JA8mm  
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雙方的目標(biāo)是確立設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)線(xiàn)寬為 1.4nm-1nm 的半導(dǎo)體所需要的基礎(chǔ)技術(shù)。制造 1nm 產(chǎn)品需要不同于傳統(tǒng)的晶體管結(jié)構(gòu)，Leti 在該領(lǐng)域的成膜等關(guān)鍵技術(shù)上具備較為雄厚的實(shí)力。 e+P|PW  
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與 2nm 相比，1nm 技術(shù)可將計(jì)算性能和效率提升 10-20%。Rapidus 已經(jīng)與 IBM 和比利時(shí)研發(fā)集團(tuán) Imec 合作，以實(shí)現(xiàn) 2027 年量產(chǎn) 2nm 芯片的目標(biāo)，預(yù)計(jì) 1nm 半導(dǎo)體最快在 2030 年代進(jìn)入主流。同時(shí)，IBM 也考慮在 1nm 領(lǐng)域與 Rapidus 進(jìn)行合作。 RaY=~g  
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另?yè)?jù)IT之家此前報(bào)道，荷蘭大型半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商 ASML 將在 2024 年下半年之前在日本北海道新建技術(shù)支持基地。Rapidus 公司正在力爭(zhēng)量產(chǎn)最先進(jìn)半導(dǎo)體，ASML 將為 Rapidus 提供工廠建設(shè)和維護(hù)檢查等協(xié)助，到 2028 年前后將日本國(guó)內(nèi)人員增加 40%。