晶合“一種光刻工藝的仿真處理方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)”專利公布

發(fā)布：cyqdesign 2023-12-04 22:42 閱讀：968

據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種光刻工藝的仿真處理方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)”，公開號(hào)CN117148689A，申請(qǐng)日期為2023年11月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種光刻工藝的仿真處理方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，其通過獲取初始光強(qiáng)分布數(shù)據(jù)，并基于該數(shù)據(jù)通過調(diào)整散射條的寬度和/或光罩的透光率，以獲得對(duì)應(yīng)的中間光強(qiáng)分布數(shù)據(jù)。接著，基于中間光強(qiáng)分布數(shù)據(jù)獲取對(duì)應(yīng)的目標(biāo)寬度和目標(biāo)透光率，從而將光刻工藝中的散射條寬度和/或光罩透光率調(diào)整至目標(biāo)值，完成光刻工藝的仿真處理。該專利技術(shù)能夠改善在光刻工藝中出現(xiàn)的光阻凸起問題，提升了工藝的精準(zhǔn)性和產(chǎn)品的質(zhì)量。

關(guān)鍵詞：光刻工藝仿真光強(qiáng)

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