介紹 +\
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在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1] s(Fxi|v;  
耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] /
T<,vR  
錐形耦合器實(shí)際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2] 2s`~<EF N  
錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。 wcDb|
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選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺(tái)，因?yàn)樗�提供高折射率比，包括二氧化硅層作�?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=光學(xué)',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_4">光學(xué)緩沖器，并允許與集成電子電路兼容。[2] w}(Ht_6q{  
HO8x:2m  
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[1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) KSl@V>!_  
[2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); ;MKfssG  
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3D FDTD仿真 =/^{P
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要模擬的關(guān)鍵部件是來自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)（160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長(zhǎng)度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導(dǎo)中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便達(dá)到更快的模擬時(shí)間） N07FU\<9  
  為了精確模擬線性錐形硅波導(dǎo)，錐形的網(wǎng)格尺寸應(yīng)該要設(shè)置密度大一些，因此在這種情況下使用不均勻的網(wǎng)格。 G