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    [技術(shù)]元件內(nèi)部場分析儀:FMM [復(fù)制鏈接]

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    摘要 )GVBE%!WEd  
    d<x1*a  
    Z`Ax pTl  
    A:eFd]E{(  
    元件內(nèi)部場分析器:FMM允許用戶可視化和研究微結(jié)構(gòu)納米結(jié)構(gòu)內(nèi)部的電磁場分布。為此,使用傅立葉模態(tài)法/嚴(yán)格耦合波分析(FMM/RCWA)計(jì)算周期性結(jié)構(gòu)(透射或反射、電介質(zhì)或金屬)內(nèi)部的場。還可以指定場的哪一部分應(yīng)該可視化:正向模式、反向模式或兩者同時(shí)顯示。 g<$. - g  
    3?2<W EYr  
    元件內(nèi)部場分析儀:FMM zOB !(R  
    jv =EheD  
    y;nvR6)  
    元件內(nèi)部場分析器:FMM是光柵光學(xué)裝置的獨(dú)有功能,可提供光柵結(jié)構(gòu)內(nèi)部電磁場的可視化。 Yt+h2ft!  
    +3;Ody"59  
    評估模式的選擇 EUy(T1Cl&&  
      
    /v|Onq1Y4  
    II;Te7~  
    為了更容易地區(qū)分入射場、反射場和透射場,可以僅評估正向或反向傳播模式,或者評估兩者的總和。 "(,2L,Zh  
    k#C f})  
    評價(jià)區(qū)域的選擇 gfde#T)S  
       gWOt]D&#/  
    Z\Z,,g+WL  
    ;3;2h+U*  
    元件內(nèi)部場分析器:FMM可以輸出整個(gè)元件(包括基板)內(nèi)部的場,或者只輸出一個(gè)堆;蚧鶋K(基板)中的場。 %X>FVlPm  
    abi[jxCG  
    不同光柵結(jié)構(gòu)的場分布 r<c #nD~K  
    #op:/j  
    任意形狀的光柵結(jié)構(gòu)可以通過元件內(nèi)部場分析儀進(jìn)行分析。以下是幾個(gè)例子: '^iUx,,ZQ  
    <~{du ?4n  
    nO{ x^b <  
    光柵結(jié)構(gòu)的采樣 E1  |<Pt  
    pYo=oI  
    雖然分析儀為輸出數(shù)據(jù)提供了一些采樣選項(xiàng),但系統(tǒng)中定義的光柵表面必須正確采樣(例如,分解點(diǎn)和過渡點(diǎn)的層數(shù)足夠)。 qsI^oBD"  
    p|3b/plZ  
    h/2/vBs  
    9 |.Ao  
    分解預(yù)覽展示了如何根據(jù)當(dāng)前采樣因子對光柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行采樣。 T#EFXHPr  
    r\2vl8X~  
    光柵結(jié)構(gòu)的充分采樣意味著已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了收斂,即進(jìn)一步增加采樣不會顯著影響產(chǎn)生的場。例如,如果層分解過于粗糙,則可能會由于縱斷面中的大臺階而產(chǎn)生其他影響。 "uKFOV?j&  
    ;+U<bqL6  
    uSN"vpc4D  
    輸出數(shù)據(jù)的采樣:一維周期光柵(Lamellar) PLA#!$c7q  
    gKo%(6{n~