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Z`Ax pTl A:eFd]E{( 元件內(nèi)部場分析器:FMM允許用戶可視化和研究微
結(jié)構(gòu)和
納米結(jié)構(gòu)內(nèi)部的電磁場分布。為此,使用傅立葉模態(tài)法/嚴(yán)格耦合波分析(FMM/RCWA)計(jì)算周期性結(jié)構(gòu)(透射或反射、電介質(zhì)或金屬)內(nèi)部的場。還可以指定場的哪一部分應(yīng)該可視化:正向模式、反向模式或兩者同時(shí)顯示。
g<$. - g 3?2<WEYr 元件內(nèi)部場分析儀:FMM zOB !(R jv =EheD y;nvR6) 元件內(nèi)部場分析器:FMM是
光柵光學(xué)裝置的獨(dú)有功能,可提供光柵結(jié)構(gòu)內(nèi)部電磁場的可視化。
Yt+h2ft! +3;Ody"59 評估模式的選擇 EUy(T1Cl&& /v|Onq1Y4 II;Te7~ 為了更容易地區(qū)分入射場、反射場和透射場,可以僅評估正向或反向傳播模式,或者評估兩者的總和。
"(,2L,Zh k#C
f}) 評價(jià)區(qū)域的選擇 gfde#T)S gWOt]D/ Z\Z,,g+WL ;3;2h+U* 元件內(nèi)部場分析器:FMM可以輸出整個(gè)元件(包括基板)內(nèi)部的場,或者只輸出一個(gè)堆;蚧鶋K(基板)中的場。
%X>FVlPm abi[jxCG 不同光柵結(jié)構(gòu)的場分布 r<c #nD~K #op:/j 任意形狀的光柵結(jié)構(gòu)可以通過元件內(nèi)部場分析儀進(jìn)行分析。以下是幾個(gè)例子:
'^iUx,,ZQ <~{du ?4n nO{ x^b < 光柵結(jié)構(gòu)的采樣 E1 |<Pt pYo=oI 雖然分析儀為輸出數(shù)據(jù)提供了一些采樣選項(xiàng),但
系統(tǒng)中定義的光柵表面必須正確采樣(例如,分解點(diǎn)和過渡點(diǎn)的層數(shù)足夠)。
qsI^oBD" p|3b/plZ h/2/vBs 9 |.Ao 分解預(yù)覽展示了如何根據(jù)當(dāng)前采樣因子對光柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行采樣。
T#EFXHPr r\2vl8X~ 光柵結(jié)構(gòu)的充分采樣意味著已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了收斂,即進(jìn)一步增加采樣不會顯著影響產(chǎn)生的場。例如,如果層分解過于粗糙,則可能會由于縱斷面中的大臺階而產(chǎn)生其他影響。
"uKFOV?j& ;+U<bqL6 uSN"vpc4D 輸出數(shù)據(jù)的采樣:一維周期光柵(Lamellar) PLA#!$c7q gKo%(6{n~