從南京工業(yè)大學(xué)獲悉，該校柔性電子（未來技術(shù)）學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在國(guó)際上首次將錫基近紅外鈣鈦礦發(fā)光二極管外量子效率提升至11.6%。相關(guān)研究成果近日發(fā)表在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然·納米技術(shù)》。

錫基鈣鈦礦具有環(huán)境友好、發(fā)光性能優(yōu)異的特點(diǎn)，是替代傳統(tǒng)鉛基鈣鈦礦的理想材料之一。然而，目前錫基鈣鈦礦光電器件性能遠(yuǎn)落后于鉛基鈣鈦礦器件。

“錫基三維鈣鈦礦的結(jié)晶速度過快，導(dǎo)致薄膜缺陷密度高。而錫基準(zhǔn)二維鈣鈦礦體異質(zhì)結(jié)存在大量的異質(zhì)維度界面，不利于載流子的高效輻射復(fù)合。”論文共同通訊作者、南工大教授王建浦指出，近年來，科研人員在開發(fā)環(huán)境友好的錫基鈣鈦礦材料中遇到不少瓶頸�！氨M管傳統(tǒng)的外延生長(zhǎng)方法可獲得低缺陷、單一界面的高質(zhì)量二維/三維鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)，但是復(fù)雜苛刻的制備工藝，限制了其在大面積鈣鈦礦薄膜及器件中的應(yīng)用�！蓖踅ㄆ终f。

圖片:2dbcea3532834905a6bff9e10191b4d8.jpg

南京工業(yè)大學(xué)柔性電子（未來技術(shù)）學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)的錫基近紅外鈣鈦礦發(fā)光二極管。

為此，該研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了簡(jiǎn)便的一步溶液外延生長(zhǎng)方法，通過簡(jiǎn)單旋涂制備出可大面積化的高質(zhì)量二維/三維錫基鈣鈦礦異質(zhì)雙層薄膜。

論文共同通訊作者、南工大副教授常進(jìn)介紹，研究團(tuán)隊(duì)基于前驅(qū)體溶液的化學(xué)調(diào)控，實(shí)現(xiàn)三維和二維錫基鈣鈦礦的自發(fā)分步結(jié)晶�！昂秃�水結(jié)冰時(shí)水面先結(jié)冰現(xiàn)象類似，在溶劑揮發(fā)和添加劑的共同作用下，三維鈣鈦礦先在溶液表面結(jié)晶，隨后在加熱退火過程中，二維鈣鈦礦再以三維鈣鈦礦為模板緩慢向下生長(zhǎng)，最終兩者像‘焊接’過一樣，牢牢地貼合在一起。”常進(jìn)說。

常進(jìn)表示，實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，基于這一方法構(gòu)筑的錫基近紅外鈣鈦礦發(fā)光二極管外量子效率達(dá)到11.6%，刷新了該團(tuán)隊(duì)前期保持的世界效率紀(jì)錄8.3%。該研究在國(guó)際上首次利用一步旋涂法實(shí)現(xiàn)了大面積外延生長(zhǎng)的高質(zhì)量錫基鈣鈦礦薄膜制備，突破了傳統(tǒng)外延方法在大面積器件制備方面的局限性，不僅為進(jìn)一步提升錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管器件性能提供了全新的思路和方法，而且對(duì)制備高質(zhì)量鈣鈦礦半導(dǎo)體材料和推動(dòng)鈣鈦礦光電子領(lǐng)域的快速發(fā)展也具有重要意義。