介紹 As+^6  
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在高約束芯片上與亞微米波導上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1] VpyqVbx1  
耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] qk_YFR?R  
錐形耦合器實際上是光纖和亞微米波導之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2] ZRn!z`.0  
錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。 H
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選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術作為納米錐和波導的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為光學緩沖器，并允許與集成電子電路兼容。[2] 
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[1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) +L-(Lz[p  
[2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); V
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3D FDTD仿真 m~R