在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM創(chuàng)建項目的基本程序： p ^TCr<=  
• 生成材料 AB0}6g^O  
• 插入波導和輸入平面 G\5Bdo1g  
• 編輯波導和輸入平面的參數(shù) w(Tr,BFF  
• 運行仿真
hT_Q_1,  
• 選擇輸出數(shù)據(jù)文件 S76MY&Vx23  
• 運行仿真 pRxVsOb  
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結(jié)果和各種數(shù)值工具 DzA'MX  
8 l= EL7  
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基礎(chǔ)上，對仿真過程進行了簡化描述。如果需要更多細節(jié)信息，可參閱之前課程中提供的操作。 T*Ge67  
A.
7lo  
本課程描述了如何創(chuàng)建一個MMI星型耦合器。該星型耦合器是對簡單MMI耦合器(教程2：創(chuàng)建一個簡單多模干涉星型（下文簡稱為MMI）耦合器)的進一步改進。它是由一個輸入波導、一個MMI耦合器以及四個輸出波導組成。步驟如下： lTN^c?  
• 定義MMI星型耦合器的材料 7BqP3T=&_  
• 定義布局設(shè)置 ?G7*^y&Q  
• 創(chuàng)建MMI星形耦合器 uTz>I'f  
• 運行模擬 )h>dD  
• 查看最大值 yKK9b  
• 繪制輸出波導 thX4-'i  
• 為輸出波導分配路徑 ^?\|2H  
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結(jié)果 P.k>6T<U>  
• 添加輸出波導并查看新的仿真結(jié)果 Voq/0,d  
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真結(jié)果 ZQir?1=  
1. 定義MMI星型耦合器的材料
'r_Fi5[q  
要定義單向彎曲器件的材料，請執(zhí)行以下步驟。 ^.g-}r8,  
步驟 操作 50A\Y)i_mZ  
1) 創(chuàng)建一個介電材料： s:_j,/H0A}  
名稱：guide t5i58@{~  
相對折射率(Re)：3.3 2!CL8hG5:  
2) 創(chuàng)建第二個介電材料 %|:j=/_  
名稱： cladding k