日前，華中科技大學與湖北九峰山實驗室組成聯(lián)合研究團隊，突破“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學放大光刻膠”技術。相關成果日前以《Dual nonionic photoacids synergistically enhanced photosensitivity for chemical amplified resists》為題，發(fā)表在《化學工程雜志》上。

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據(jù)介紹，這一具有自主知識產(chǎn)權的光刻膠體系已在生產(chǎn)線上完成了初步工藝驗證，并同步完成了各項技術指標的檢測優(yōu)化，實現(xiàn)了從技術開發(fā)到成果轉(zhuǎn)化全鏈條打通。

光刻膠是半導體制造不可或缺的材料，其質(zhì)量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關鍵因素。但光刻膠技術門檻高，市場上制程穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產(chǎn)品屈指可數(shù)。

當半導體制造節(jié)點進入到100納米甚至是10納米以下，如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。

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該研究通過巧妙的化學結(jié)構(gòu)設計，以兩種光敏單元構(gòu)建“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優(yōu)良、space圖案寬度值正態(tài)分布標準差（SD）極�。�約為0.05）、性能優(yōu)于大多數(shù)商用光刻膠，且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導體量產(chǎn)制造中對吞吐量和生產(chǎn)效率的需求。

據(jù)悉，該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向，同時為極紫外線光刻機光刻膠的著力開發(fā)做技術儲備。

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