日前，華中科技大學與湖北九峰山實驗室組成聯合研究團隊，突破“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”技術。相關成果日前以《Dual nonionic photoacids synergistically enhanced photosensitivity for chemical amplified resists》為題，發(fā)表在《化學工程雜志》上。

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據介紹，這一具有自主知識產權的光刻膠體系已在生產線上完成了初步工藝驗證，并同步完成了各項技術指標的檢測優(yōu)化，實現了從技術開發(fā)到成果轉化全鏈條打通。

光刻膠是半導體制造不可或缺的材料，其質量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關鍵因素。但光刻膠技術門檻高，市場上制程穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產品屈指可數。

當半導體制造節(jié)點進入到100納米甚至是10納米以下，如何產生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。

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該研究通過巧妙的化學結構設計，以兩種光敏單元構建“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優(yōu)良、space圖案寬度值正態(tài)分布標準差（SD）極�。�約為0.05）、性能優(yōu)于大多數商用光刻膠，且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導體量產制造中對吞吐量和生產效率的需求。

據悉，該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向，同時為極紫外線光刻機光刻膠的著力開發(fā)做技術儲備。

相關鏈接：https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.148810