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    [技術(shù)]JCMsuite應(yīng)用：四分之一波片 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 06-24
    利用光學(xué)手性和內(nèi)置手性參量的形式，可以在JCMsuite中計(jì)算光學(xué)散射體的手性響應(yīng)。結(jié)果表明，時(shí)間諧波光學(xué)手性密度服從局部連續(xù)性方程[1]。這使得手性行為的分析類(lèi)似于電磁能量的研究。 v9~Hl   
     YtQKsM  
    圓偏振平面波是光手性的本征態(tài)。因此，近場(chǎng)光手性密度與圓偏振密切相關(guān)。在幾何光學(xué)中，四分之一波板將線偏振轉(zhuǎn)換為圓偏振是眾所周知的。它們是由雙折射材料制成的，例如各向異性材料。波片的厚度是尋常(x-)偏振和非尋常(z-)偏振波長(zhǎng)差的四分之一。入射平面波在xz方向上線性偏振，在-y方向上傳播，如下圖所示： }iy`Ko+B"b  
    wAHb 5>!  
    四分之一波片的能量守恒和光學(xué)手性  =erA.u  
    由于線偏振，入射手性通量消失=0。對(duì)于一個(gè)完美的四分之一波片，反射通量將消失，而透射手性通量=1將以圓偏振平面波為單位。從幾何光學(xué)的角度，我們認(rèn)為由于波片的各向異性導(dǎo)致了偏振變化或手性轉(zhuǎn)換發(fā)生在波片的體積內(nèi)。對(duì)于麥克斯韋方程組的嚴(yán)格解，會(huì)產(chǎn)生與這個(gè)簡(jiǎn)化模型的輕微偏差。 GS{:7%=j  
     ;>=hQC{f>  
    在近場(chǎng)中，由于各向異性和材料參數(shù)[1]的變化而發(fā)生手性轉(zhuǎn)換。利用各向異性電學(xué)手性的密度積分，可以在JCMsuite中計(jì)算體積貢獻(xiàn)。這種轉(zhuǎn)換類(lèi)似于能量吸收。對(duì)于這個(gè)例子中的分段常數(shù)材料，界面處的手性轉(zhuǎn)換是通過(guò)電磁手性轉(zhuǎn)換通量積分來(lái)計(jì)算的。它的實(shí)部得到。 Q}jbk9gM5  
     aMTY{  
    最后，通過(guò)對(duì)界面外域電磁手性通量積分取實(shí)數(shù)部分給出了反射和透射光手性通量。由于光學(xué)手性守恒，推導(dǎo)出下式： ^F*)Jq  
    }\u~He%  
    適用于任意材料和電磁場(chǎng)。這類(lèi)似于能量守恒，可寫(xiě)為 C!w@Naj  
    bcpH|}[F)  
    , IUMH]D  
     3w )S=4lB  
    光學(xué)手性密度如下所示 *9^CgLF  
    SX}GKu  
    研究了四分之一波片近場(chǎng)的光手性密度 (左)及其體積轉(zhuǎn)換(右) mxHNK4/  
    這是由輸出參量：磁性手性密度和各向異性電性手性密度得到的。在這里，目前的符號(hào)并沒(méi)有區(qū)分整數(shù)(例如或)和密度(例如)。 'OGOT0(  
     EpGe'S  
    注意，各向異性手性密度在計(jì)算上比它們的各向同性對(duì)應(yīng)部分更消耗計(jì)算資源。由于所涉及的材料是非磁性的(μr=1)，計(jì)算(各向同性)磁性手性密度就足夠了。還需要注意的是，各向異性參量?jī)H適用于具有電場(chǎng)分量或磁場(chǎng)分量的解決方案。這是由于需要對(duì)該場(chǎng)進(jìn)行額外的導(dǎo)數(shù)求解。 (Cp:NS  
     pb%#`2"  
    對(duì)四分之一波片近場(chǎng)(見(jiàn)上圖)的分析證實(shí)了幾何光學(xué)的預(yù)期: 在周?chē)目諝庵胁ㄆ瑑?nèi)偏振變化發(fā)生 為零(和界面)。向下傳播(輸出)平面波的光手性密度幾乎是圓平面波手性密度的一個(gè)單位。發(fā)現(xiàn)輸出偏振幾乎完全圓偏振直至/≈0.9938。通過(guò)優(yōu)化其厚度，可以獲得更優(yōu)異的較低反射性能。 89l_%To  
    F dv&kK!  
     
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