極紫外光刻 (EUV) 77>oQ~q  
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0{lV  
嚴(yán)格的 OPC 和源優(yōu)化 2+1ybOwb  
嵌入式多層鏡面缺陷任意缺陷幾何形狀 I^NDJdxd  
可檢測性 I"Oq< _  
印刷適性 2t= =<x  
離軸陰影效應(yīng)、HV 偏差（包括非常量散射系數(shù)）吸收器堆棧分析（EM-Stack）吸收器輪廓（側(cè)壁和拐角圓化吸收體缺陷EUV 的 OPC（小面積）多層鏡面結(jié)構(gòu) (PSM) eqx }]#  
Et=Pr+Q{c  
雙重圖案 TnrBHaxbo4  
2]!@)fio`  
光刻蝕刻 光刻蝕刻 D,#UJPyg  
光刻凍結(jié) 光刻蝕刻 c=!>m  
側(cè)壁間隔物 6o't3Peh  
晶圓形貌效應(yīng) = Xgo}g1  
非平面光阻 <BR^Dv07U  
首次接觸時(shí)的潛在特征 K
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|T:R.=R$~  
相移掩模版
Z#[?~P  
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交替 PSM：移位和不移位開場之間的強(qiáng)度不平衡 $dC`keQM>9  
相位缺陷 V_
7\VKR  
濕法蝕刻/雙溝槽 vDjH $ U  
無鉻相光刻 lY%I("2=  
衰減相移掩模版 #QNN;&L]R  
脫保護(hù)收縮的 NTD (t&RFzE?G  
SEM 誘導(dǎo)收縮 F*72g)hVh  
EUV 和 DUV 的隨機(jī)效應(yīng) %>Kba