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技術(shù)背景 4Z9 3g{ 隨著極紫外光刻(EUV)、空間激光通信等領(lǐng)域的精度需求逼近物理極限,傳統(tǒng)接觸式加工已難滿足需求。本文對比兩種前沿工藝: }2A1Yt:^P 1. 反應(yīng)離子束刻蝕(RIBE) 'sBXH EZA] - 優(yōu)勢: U(=9&c@]
各向異性刻蝕(縱橫比>10:1),適合微棱鏡陣列加工 - 原子級去除(0.1nm/cycle),理論面型精度可達(dá)λ/50
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