我也剛接觸ASAP，是個(gè)十足的菜鳥(niǎo)。ASAP如何模擬LED才算正確，我也不知道，我跟大伙一樣都在苦苦尋求和摸索。這里是我模擬LED得到的一點(diǎn)總結(jié)，方法的正確性還不是很敢確定，希望跟大家一起探討，希望高手能夠指點(diǎn)。 (x$9~;<S*d  
    模擬步驟： c$QX)V  
    1. 建立環(huán)氧樹(shù)脂封裝模型。該模型可以直接在ASAP中建立，也可以通過(guò)其他三維建模軟件與asap相結(jié)合來(lái)完成。我是在pro/e中建模，之后保存為igs格式的文件，然后再導(dǎo)入ASAP。至于如何導(dǎo)入，可以參考技術(shù)導(dǎo)引。 E|$Oha[  
    2. 建立反光碗。該步驟與步驟1一樣有多種方法，不過(guò)建議直接在asap中建模，利用edge line 、sweep等命令完成。 FHPXu59u  
    3. 建立芯片。個(gè)人認(rèn)為因該有兩種建立芯片的方法，從而產(chǎn)生兩種模擬方法。方法一，利用EMITTING OBJ 命令來(lái)建立；方法二，利用EMITTING RECT命令來(lái)建立。 Y05P'Q  
    4. 追跡光線及分析。 o(Cey7  
    注意的幾個(gè)地方： N8`4veVBx'  
    1. 需要用到IMMENSE 命令，該命令必須在定義光源之前使用。 5I@w~z  
    2. 分析時(shí)，需要用到consider選項(xiàng)。當(dāng)想得到光強(qiáng)分布時(shí)，需要選擇環(huán)氧樹(shù)脂封裝的外表面，這 個(gè)至關(guān)重要。 A[YpcG'9  
    兩種方法的比較，以及存在的問(wèn)題： ACK1@eF  
    1.方法一 [|3>MZ2/  
    方法一就是利用EMITTING OBJ命令建立光源的情況，該方法模擬的結(jié)果和實(shí)際測(cè)量的數(shù)據(jù)比較吻合。文中的圖形是方法一模擬得到的圖形 。 45H!;Qsk  
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  2. 方法二 $.489x+'Z  
  該方法是利用EMITTING RECT命令來(lái)建立光源。個(gè)人覺(jué)得該方法是可行的，在 Modling incoherernt Extended sources ASAP 這篇技術(shù)導(dǎo)引中也提到這種方法，不過(guò)我試了好幾次都沒(méi)能成功，希望跟大家一起探討。 j9/-"dTL  
  附件中是方法一和方法二建立的LED模型程式。 m%8qZzqk  
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  期待高手指點(diǎn)��！謝了~

模擬led的重點(diǎn)，我覺(jué)得是在led的尺寸，有些關(guān)鍵的尺寸datasheet都不會(huì)寫(xiě)，例如晶杯的位置、角度、高度、晶粒的大小，這些datasheet都不會(huì)提到，再加上製程問(wèn)題，很難模擬出和實(shí)物接近的光源出來(lái)。

產(chǎn)品規(guī)格書(shū)中的數(shù)據(jù)僅僅是個(gè)參考,很多都不準(zhǔn)確的。比如里面的相對(duì)光強(qiáng)，很多是徒手畫(huà)的。 n|4;
Hn1V  
其實(shí)這些數(shù)據(jù)可以直接咨詢(xún)廠家的。

北兄.. :a<hQ|p  
  在這看到你的帖子了... =<<3
Pkv7@  
我也準(zhǔn)備開(kāi)始學(xué)習(xí)ASAP了. `HX3|w6W;  
加油吧!~~~

哈，其實(shí)基本上，LED廠是不會(huì)給晶杯及晶粒資料的，光強(qiáng)度也只能靠自己量測(cè)，LED也是不會(huì)給的，而且材質(zhì)特性也不會(huì)給，這幾點(diǎn)在模擬上常常會(huì)造成困擾。

支持原創(chuàng)，學(xué)習(xí)一下。

繼續(xù)，論壇喜歡原創(chuàng)！

引用第4樓flightpig于2007-08-04 20:45發(fā)表的  : h[l{ 5Z*  
哈，其實(shí)基本上，LED廠是不會(huì)給晶杯及晶粒資料的，光強(qiáng)度也只能靠自己量測(cè)，LED也是不會(huì)給的，而且材質(zhì)特性也不會(huì)給，這幾點(diǎn)在模擬上常常會(huì)造成困擾。

:GM#&*$2<  
p}8ratmN  
EVSK
8T,  
能不能得到這些數(shù)據(jù)，這就得看自個(gè)兒的能力和運(yùn)氣了
H^v{Vo  
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