我也剛接觸ASAP，是個(gè)十足的菜鳥。ASAP如何模擬LED才算正確，我也不知道，我跟大伙一樣都在苦苦尋求和摸索。這里是我模擬LED得到的一點(diǎn)總結(jié)，方法的正確性還不是很敢確定，希望跟大家一起探討，希望高手能夠指點(diǎn)。
bJANZn|H 模擬步驟：
Q3(hK<Qh; 1. 建立環(huán)氧樹脂封裝模型。該模型可以直接在ASAP中建立，也可以通過其他三維建模軟件與asap相結(jié)合來完成。我是在pro/e中建模，之后保存為igs格式的文件，然后再導(dǎo)入ASAP。至于如何導(dǎo)入，可以參考技術(shù)導(dǎo)引。
+}&pVe\t 2. 建立反光碗。該步驟與步驟1一樣有多種方法，不過建議直接在asap中建模，利用edge line 、sweep等命令完成。
5sG ] 3z+1 3. 建立芯片。個(gè)人認(rèn)為因該有兩種建立芯片的方法，從而產(chǎn)生兩種模擬方法。方法一，利用EMITTING OBJ 命令來建立；方法二，利用EMITTING RECT命令來建立。
hT \p)w 4. 追跡光線及分析。
ZDW,7b% U 注意的幾個(gè)地方：
D` 1I;Tb# 1. 需要用到IMMENSE 命令，該命令必須在定義光源之前使用。
)J{.Cx<E 2. 分析時(shí)，需要用到consider選項(xiàng)。當(dāng)想得到光強(qiáng)分布時(shí)，需要選擇環(huán)氧樹脂封裝的外表面，這 個(gè)至關(guān)重要。
/\6}S G; 兩種方法的比較，以及存在的問題：
$_ST:h&C 1.方法一
WW)_Wh 方法一就是利用EMITTING OBJ命令建立光源的情況，該方法模擬的結(jié)果和實(shí)際測量的數(shù)據(jù)比較吻合。文中的圖形是方法一模擬得到的圖形 。
[O.LUR; muW`pm e!TG< (S 2. 方法二
]kyle3#-~ 該方法是利用EMITTING RECT命令來建立光源。個(gè)人覺得該方法是可行的，在 Modling incoherernt Extended sources ASAP 這篇技術(shù)導(dǎo)引中也提到這種方法，不過我試了好幾次都沒能成功，希望跟大家一起探討。
9NJ=~Ub- 附件中是方法一和方法二建立的LED模型程式。
GjG{ qR R c$=+K# 期待高手指點(diǎn)�。≈x了~
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