襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下九個方面： _0c$SK  
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[1]結(jié)構(gòu)特性好，外延材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度�。� #{L !o5  
[2]界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性強； VN[i;4o:|  
[3]化學(xué)穩(wěn)定性好，在外延生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕； f
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[4]熱學(xué)性能好，包括導(dǎo)熱性好和熱失配度��； M~ ^ {S[o  
[5]導(dǎo)電性好，能制成上下結(jié)構(gòu)； Zd]2>h  
[6]光學(xué)性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收��； |0A:
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[7]機(jī)械性能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等； r")zR,  
[8]價格低廉； sxBRg=  
[9]大尺寸，一般要求直徑不小于2英吋。 0-{l4;o  
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　　襯底的選擇要同時滿足以上九個方面是非常困難的。所以，目前只能通過外延生長技術(shù)的變更和器件加工工藝的調(diào)整來適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種，即藍(lán)寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底。表2-4對五種用于氮化鎵生長的襯底材料性能的優(yōu)劣進(jìn)行了定性比較。 DZ9qIc}Y  
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表2-4：用于氮化鎵生長的襯底材料性能優(yōu)劣比較 :1JICxAU  
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襯底材料	Al2O3	SiC	Si	ZnO	GaN
晶格失配度	差	中	差	良	優(yōu)
界面特性	良	良	良	良	優(yōu)
化學(xué)穩(wěn)定性 fpK`	優(yōu)	優(yōu)	良	差	優(yōu)
導(dǎo)熱性能	差	優(yōu)	優(yōu)	優(yōu)	優(yōu)
熱失配度	差	中	差	差	優(yōu)
導(dǎo)電性	差	優(yōu)	優(yōu)	優(yōu)	優(yōu)
光學(xué)性能	優(yōu)	優(yōu)	差	優(yōu)	優(yōu)
機(jī)械性能	差	差	優(yōu)	良	中
價格	中	高	低	高	高
尺寸	中	中	大	中	小

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1）氮化鎵襯底 S3(