Dear各位大大................. (e(:P~Ry  
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我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... _XCOSomL`  
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以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強(qiáng)度(lux)之關(guān)係........ =[b)1FUp  
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1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ n]E?3UGD@W  
                        m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 ,]bB9tid  
    zR2B- &]H  
2.基板：Sapphire substrate (藍(lán)寶石基板)，Index=1.7。 aDO!  
    T5a*z}L5  
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 4R18A=X  
    (=7Cs  
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 Z#rB}  
    SkmT`*v@  
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 vZ.x{
"n'~  
    n{6G"t:^l  
6.監(jiān)視面：10mm*10mm之正方面。 CrwwU7qKL  
    BNL;Biyt7  
7.距離：LED Chip與監(jiān)視面之間距離為15mm。 E?_Z`*h  
 |PC*=ykT3  
8.模擬光源假設(shè)條件： |yx6X{$k  
xlQBe-Wg  
(1)藍(lán)寶石基板其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收，無反射現(xiàn)象，上部無任何設(shè)定，下部設(shè)定為全反射(假設(shè)當(dāng)作一維光子晶體模擬)。 YW7b)uYf  
"'D=,*  
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收，無反射現(xiàn)象，上部與下部無任何設(shè)定。 8-2cRs  
<J^MCqp!v  
9.我在p-type上再加設(shè)一層薄膜index為1.7，設(shè)定為不發(fā)光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結(jié)果，其厚度改變，但結(jié)果卻是不變，也就是說光強(qiáng)度並未改變，我有設(shè)important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強(qiáng)度不變的話，與光學(xué)原理不符，請問我是不是在哪裡有設(shè)定錯(cuò)誤呢?
6Vz9?puD  

光形應(yīng)該變的 總的光通量不會(huì)變 因?yàn)槟愕挠^測面相對chip足夠大