Dear各位大大................. -xJ\/"A  
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我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請(qǐng)各位大大為我解答一下....... -XkjO$=!=  
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以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強(qiáng)度(lux)之關(guān)係........ LUz`P6  
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1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ 2"P1I
  
                        m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 ?V_v=X%w  
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2.基板：Sapphire substrate (藍(lán)寶石基板)，Index=1.7。 @cm[]]f'l  
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3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 Qt^6w}&  
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4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 o$*DFvk  
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5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 a"1LF`  
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6.監(jiān)視面：10mm*10mm之正方面。 `fVzY"Qv k  
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7.距離：LED Chip與監(jiān)視面之間距離為15mm。 *0'{n*>  
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8.模擬光源假設(shè)條件： +s [_ 4  
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(1)藍(lán)寶石基板其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收，無(wú)反射現(xiàn)象，上部無(wú)任何設(shè)定，下部設(shè)定為全反射(假設(shè)當(dāng)作一維光子晶體模擬)。 fKua