Dear各位大大................. '-~~-}= sJ  
?k{?GtSs  
我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... fIU#M]Xx  
aX'*pK/-  
以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強(qiáng)度(lux)之關(guān)係........ ?N9u
u4  
JK5gQ3C[  
1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ mz0X3  
                        m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 ?CPahU  
    bq*eH (qx  
2.基板：Sapphire substrate (藍(lán)寶石基板)，Index=1.7。 htF] W|z  
    '\iCP1>+S  
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 ?Z/V~,  
    Kn1a>fLaJ_  
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 W^l-Y%a/o  
    9rf)gU3{+L  
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 OQJ6e:BGt  
    ukyZes8o K  
6.監(jiān)視面：10mm*10mm之正方面。
e(t\g^X  
    H*