Dear各位大大................. hO(A_Bw  
#2%8@?_-M  
我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請(qǐng)各位大大為我解答一下....... tNxKpA |F  
unyU|B  
以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強(qiáng)度(lux)之關(guān)係........ TU9$5l/;g  
+<WNAmh   
1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ #YSFiy:+r_  
                        m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 \_/dfmlIZ  
    .<6'*XR  
2.基板：Sapphire substrate (藍(lán)寶石基板)，Index=1.7。 {Vf].l:kn  
    ilQt`-O!  
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 ^C;ULUn3  
    PsN_c[+  
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。
gVs@T'  
    ](z*t+">  
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 A#]78lR  
    aO*v"^oF  
6.監(jiān)視面：10mm*10mm之正方面。
KR>o 2  
    M/YS%1  
7.距離：LED Chip與監(jiān)視面之間距離為15mm。 VhU,("&pm  
 _[N*k"  
8.模擬光源假設(shè)條件： Lg|]|,%e  
y_2B
@cj  
(1)藍(lán)寶石基板其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收，無(wú)反射現(xiàn)象，上部無(wú)任何設(shè)定，下部設(shè)定為全反射(假設(shè)當(dāng)作一維光子晶體模擬)。 |q Pu*vR  
zEw~t&:e  
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收，無(wú)反射現(xiàn)象，上部與下部無(wú)任何設(shè)定。 0+KSD{  
.