作者：浙江大學(xué) 蘇達(dá) 王德苗 VX:Kq<XwQ  
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摘要：如何提高大功率發(fā)光二極管(Li t Emitting Diode，簡稱LED)的散熱能力，是LED器件封裝和器件應(yīng)用設(shè)計(jì)要解決的核心問題。詳細(xì)分析了國內(nèi)外大功率LED散熱封裝技術(shù)的研究現(xiàn)狀；總結(jié)了其發(fā)展趨勢(shì)，并指出了減少內(nèi)部熱沉可能是今后的發(fā)展方向。 f = 'AI  
關(guān)鍵詞：電力半導(dǎo)體器件；發(fā)光二極管；光電元件；散熱；封裝 "M3S  
1 引 言 a9_KoOa.H  
　　發(fā)光二極管(LED)誕生至今．已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全彩化和高亮度化，并在藍(lán)光LED和紫光LED的基礎(chǔ)上開發(fā)了白光LED．它為人類照明史又帶來了一次飛躍。與自熾燈和熒光燈相比，LED以其體積小，全固態(tài)，長壽命，環(huán)保，省電等一系列優(yōu)點(diǎn)，已廣泛用于汽車照明、裝飾照明、手機(jī)閃光燈、大中尺寸，即NB和LCD．TV等顯示屏光源模塊中。已經(jīng)成為2l世紀(jì)最具發(fā)展前景的高技術(shù)領(lǐng)域之一LED是一種注入電致發(fā)光器件．由Ⅲ～Ⅳ 族化合物，如磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)等半導(dǎo)體制成 在~I-DN電場(chǎng)作用下．電子與空穴的輻射復(fù)合而發(fā)生的電致作用將一部分能量轉(zhuǎn)化為光能． 即量子效應(yīng)，而無輻射復(fù)合產(chǎn)生的晶格振蕩將其余的能量轉(zhuǎn)化為熱能。目前，高亮度白光LED在實(shí)驗(yàn)室中已經(jīng)達(dá)到1001m／W 的水平，501m／w 的大功率白光LED也已進(jìn)入商業(yè)化，單個(gè)LED器件也從起初的幾毫瓦一躍達(dá)到了1．5kW。對(duì)大于1W 級(jí)的大功率LED而言，目前的電光轉(zhuǎn)換效率約為15％，剩余的85％轉(zhuǎn)化為熱能．而芯片尺寸僅為1mm×1mm～2．5mm~2．5mm．意即芯片的功率密度很大 與傳統(tǒng)的照明器件不同，白光LED的發(fā)光光譜中不包含紅外部分．所以其熱量不能依靠輻射釋放。因此，如何提高散熱能力是大功率LED實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)難題之一l】1。 r XT6u  
2 熱效應(yīng)對(duì)大功率LED的影響 NOSLb];  
　　對(duì)于單個(gè)LED而言．如果熱量集中在尺寸很小的芯片內(nèi)而不能有效散出．則會(huì)導(dǎo)致芯片的溫度升高．引起熱應(yīng)力的非均勻分布、芯片發(fā)光效率和熒光粉激射效率下降。研究表明，當(dāng)溫度超過一定值時(shí)．器件的失效率將呈指數(shù)規(guī)律攀升．元件溫度每上升2℃，可靠性將下降l0％l2】。為了保證器件的壽命，一般要求pn結(jié)的結(jié)溫在110℃以下。隨著pn結(jié)的溫升．白光LED器件的發(fā)光波長將發(fā)生紅移據(jù)統(tǒng)計(jì)資料表明．在100℃的溫度下．波長可以紅移4～9 nm．從而導(dǎo)致YAG熒光粉吸收率下降，總的發(fā)光強(qiáng)度會(huì)減少，白光色度變差。在室溫附近，溫度每升高l℃．LED的發(fā)光強(qiáng)度會(huì)相應(yīng)減少l％左右．當(dāng)器件從環(huán)境溫度上升到l20℃時(shí)．亮度下降多達(dá)35％。當(dāng)多個(gè)LED密集排列組成白光照明系統(tǒng)時(shí)．熱量的耗散問題更嚴(yán)重。因此解決散熱問題已成為功率型LED應(yīng)用的先決條件。 RF