408nm InGa N/ Ga N LED 的材料生長及器件光學特性 8x{'@WCG%
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摘要: 通過提高InGaN 量子阱結構的生長溫度,降低量子阱In 組分的摻入效率,提高InGaN/ GaN 量子阱結構生長質(zhì)量,縮短L ED 輸出波長等手段,實現(xiàn)了紫光L ED 高效率輸出. 采用高分辨率X 射線雙晶衍射、掃描隧道顯微鏡和光致發(fā)光譜技術研究了高溫生長InGaN/ GaN 多量子阱的結構和光學特性. 封裝后的300μm ×300μm L ED 器件在20mA 的注入電流下輸出功率為512mW ,輸出波長為408nm. <^uBoKB/f
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關鍵詞: 量子阱; GaN ; L ED
