所謂的物理氣相沉積（physical Vapor Deposition，通常簡稱為PCD），就是以物理現(xiàn)象的方式，來進行薄膜沉積的一種技術(shù)。在
半導(dǎo)體制程的發(fā)展上，主要的PVD技術(shù)，有蒸鍍（Evaporation）及濺鍍（Sputtering）等兩種。前者是借著對被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在高溫（接近其熔點）時所具備的飽和蒸氣壓，來進行薄膜的沉積；而后者，則是利用電漿所產(chǎn)生的離子，借著離子對被濺鍍物體電極（Electrode）的轟擊（Bombardment），使電漿的氣相（Vapor Phase）內(nèi)具有具有被鍍物的粒子（如原子），來產(chǎn)生沉積薄膜的。關(guān)于濺鍍部分，我們在磁控濺鍍機的操作原理中另外說明。接下來簡明敘述蒸鍍原理。
*K`x;r @]*[c})/ 一個簡易的真空蒸鍍機（Vacuum Evaporator）它主要是由一個用以執(zhí)行真空蒸鍍的蒸鍍室（Evaporator Chamber），及一組用以提供蒸鍍所需之真空渡真空系統(tǒng)所組成的。在蒸鍍室內(nèi)，固態(tài)的沉積材料，稱為蒸鍍源（Source），將被放置在一只由高溫材料（Refractory）所制程的坩堝（Crucible）內(nèi)，且這個由導(dǎo)電材料所組成的坩堝，將與外界的直流電源相接。當(dāng)適當(dāng)?shù)碾娏魍ㄍ釄逯�，藉著坩堝因電阻效�?yīng)所產(chǎn)生的熱，置於坩堝內(nèi)的蒸鍍源將被加熱，一直到接近蒸鍍源的熔點附近。這時，原本處於固態(tài)的蒸鍍源的蒸發(fā)能力將非常強，利用這些被蒸發(fā)出來的蒸鍍源原子，我們可以在離蒸鍍源上方不遠處的晶片表面上，進行薄膜的沉積，如圖2-1所示。這種設(shè)計的坩堝，通常是以鎢、鉬、或鉭所製成的。而蒸鍍源，則大都局限在熔點較低的材料，如鋁等。除了圖2-1 的真空蒸鍍法之外，在高溫材料的蒸鍍上，我們通常是以所謂的電子束蒸鍍法（Electron Beam Evaporation，簡稱EBE）來進行的，如圖2-2 所示。其基本原理與圖1 的真空蒸鍍法完全一樣。主要是的差別，是在於EBE 是利用電子束（Electron Beam）來執(zhí)行蒸鍍源加熱，且加熱的範(fàn)圍可局限在蒸鍍源表面極小，以免前者必須對整個蒸鍍源加熱，以便進行沉積的這種能量使用使用效率極低的方式�？s所以，在半導(dǎo)體製程上的應(yīng)用，蒸鍍法通常使用是以EBE 來進行的，如鋁的蒸鍍便是一例。
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