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    [分享]溫度對半導體激光器的輸出功率的影響解析 [復制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2008-06-26
    半導體激光器, 波長0.85~1.65μm ,可用光纖傳輸,體積小,輸出功率已達3 kW。半導體激光器是以半導體材料作為工作介質的。目前較成熟的是砷化鎵激光器,發(fā)射840nm的激光。另有摻鋁的砷化鎵、硫化鉻硫化鋅等激光器。激勵方式有光泵浦、電激勵等。 8ExEhBX8