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    [分享]半導體激光器技術概論 [復制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2008-06-26
    關鍵詞: 激光器
    一、量子阱(QW)激光 "6t#   
    V;IV2HT0J"  
    (1)QW激光器 .|g|X8X  
    U6xs'0  
    隨著金屬有機物化學汽相淀積(MOCVD)技術的逐漸成熟和完善,QW激光器很快從實驗室研制進入商用化。QW器件是指采用QW材料作為有源區(qū)的光電子器件,材料生長一般是采用MOCVD外延技術。這種器件的特點就在于它的QW有源區(qū)具有準二維特性和量子尺寸效應。QW激光器與體材料激光器相比,具有閾值電流小、量子效率高、振蕩頻率高的特點,并可直接在較高的溫度下工作。 %~rXJrK  
    pd\x^F`sk.  
    (2)應變QW激光器 b[Qe} `W  
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