一、量子阱(QW)激光器 +N_%|!F-c  
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(1)QW激光器 0+i,,^x.  
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隨著金屬有機物化學汽相淀積（MOCVD）技術的逐漸成熟和完善，QW激光器很快從實驗室研制進入商用化。QW器件是指采用QW材料作為有源區(qū)的光電子器件，材料生長一般是采用MOCVD外延技術。這種器件的特點就在于它的QW有源區(qū)具有準二維特性和量子尺寸效應。QW激光器與體材料激光器相比，具有閾值電流小、量子效率高、振蕩頻率高的特點，并可直接在較高的溫度下工作。 r
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(2)應變QW激光器 +,>bpp1  
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為了進一步改善QW激光器的性能，人們又在QW中引入應變和補償應變，出現(xiàn)了應變QW激光器和補償應變QW激光器。應變的引入減小了空穴的有限質(zhì)量，進一步減小了價帶間的躍遷，從而使QW激光器的閾值電流顯著降低，量子效率和振蕩頻率再次提高，并且由于價帶間躍遷的減小和俄歇復合的降低而進一步改善了溫度特性，實現(xiàn)了激光器無致冷工作。在阱和壘中分別引入不同應變（張應變/壓應變）實現(xiàn)應變補償，不僅能改善材料質(zhì)量，從而提高激光器的壽命，而且可利用壓應變對應于TE模式、張應變主要對應于TM模式的特性，制作與偏振無關的半導體激光放大器。 ir#^5e@  
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引人矚目的是，GaSb基銻化物材料的研究多年來倍受重視，因其波長覆蓋范圍寬，可從1.7m延展到4.5m，但材料生長和器件制作比較困難，1990年以前器件性能指標較低。經(jīng)過近十年的努力，目前MBE生長GaSb基銻化物應變量子阱激光器已在1.9 2.6m波段先后獲得室溫連續(xù)大功率工作的突破。 Ka{Z
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(3)我國QW激光器的進展 0MPDD%TP  
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我國從1993年年底開始利用AIX200型低壓MOCVD系統(tǒng)進行QW器件的開發(fā)，現(xiàn)已開發(fā)出幾十種InGaAsP系列、AlGaInAs系列材料和兩種系列的應變QW材料，QW器件的開發(fā)也取得豐碩的成果，完成了多項"863"項目，已形成產(chǎn)品的主要有如下器件： &X(-C9'j  
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（1）普通1.3 m QW激光器，國內(nèi)首批實用化的QW激光器產(chǎn)品，1995年開始大量使用于移動通信光纖傳輸直放站。 itvdzPO  
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（2）應變QW DFB激光器系列產(chǎn)品，波長覆蓋1.5～1.57 m，1996年底批量生產(chǎn)并正式投放市場，主要作為2.5Gb/s SDH系統(tǒng)和WDM系統(tǒng)發(fā)射和信道監(jiān)控光源。 &0`7_g7G  
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（3）大功率高線性1.3 m應變QW DFB激光器，1997年小批量使用于CATV光發(fā)射機。 c*Nbz,
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