如果要使激光器的調(diào)制帶寬得到提高，關(guān)鍵是降低激光器的電學(xué)寄生因素的影響，尤其需要降低寄生電容及載流子在量子阱結(jié)構(gòu)中的輸運(yùn)過(guò)程。 xig4H7V  
inHlL  
    制造高速激光器時(shí)，要想提高器件的3db帶寬，可以采取以下措施： L;\f^v(  
h 8<s(WR  
    ①有源區(qū)采用應(yīng)變（補(bǔ)償）多量子阱結(jié)構(gòu)——量子阱激光器阱材料由于在平行于阱面方向受到雙軸壓應(yīng)變和垂直于阱面方向的拉伸應(yīng)變，其價(jià)帶頂?shù)闹乜昭�能�?jí)上升，而且這種價(jià)帶發(fā)生退簡(jiǎn)并，使電子從自旋軌道分裂帶向重孔穴帶的躍遷幾率近似等于零，使室溫下的俄歇復(fù)合幾率減小，從而導(dǎo)致這種量子阱激光器的閾值電流下降，線寬增強(qiáng)因子減小以及弛豫振蕩頻率、調(diào)制帶寬、微分增益系數(shù)顯著提高。 *""iX
i[  
Xr."C(`w  
    ②有源區(qū)p型摻雜 ——p型摻雜可減小穿過(guò)sch區(qū)域時(shí)的空穴輸運(yùn)，這對(duì)高速量子阱器件是主要的限制；p型摻雜可以得到非常高的微分增益，并且使量子阱中載流子的分布更加均勻。 u+lNcyp"MW  
<) cJz  
    若有源區(qū)zn摻雜濃度接近1018 cm-3時(shí)，其3db帶寬可達(dá)25ghz，而且摻雜還可使器件的振蕩頻率增加到30ghz（腔長(zhǎng)為300μm）。此外，重?fù)诫s還有利于降低線寬增強(qiáng)因子和進(jìn)一步提高微分增益，這些都有利于提高器件的調(diào)制特性。 zK_Q^M`  
HXm
&`  
    ③降低電學(xué)寄生參數(shù)——為了降低高速激光器的電學(xué)寄生參數(shù)，尤其是寄生電容，可采用半絕緣fe-inp再生長(zhǎng)掩埋技術(shù)，同時(shí)還需減小電極面積；采用自對(duì)準(zhǔn)窄臺(tái)面結(jié)構(gòu)（sa-cm）以減小器件的寄生電容。人們還常利用填充聚酰亞胺的方法來(lái)減小寄生電容。 ppuJC'GW  
Gq=tR