(1)QW激光器   VQ8Fs/Zt!  
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    隨著金屬有機物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)的逐漸成熟和完善，QW激光器很快從實驗室研制進(jìn)入商用化。QW器件是指采用QW材料作為有源區(qū)的光電子器件，材料生長一般是采用MOCVD外延技術(shù)。這種器件的特點就在于它的QW有源區(qū)具有準(zhǔn)二維特性和量子尺寸效應(yīng)。QW激光器與體材料激光器相比，具有閾值電流小、量子效率高、振蕩頻率高的特點，并可直接在較高的溫度下工作。   <[$a7l i  
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    (2)應(yīng)變QW激光器   Wiw~oXo  
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    為了進(jìn)一步改善QW激光器的性能，人們又在QW中引入應(yīng)變和補償應(yīng)變，出現(xiàn)了應(yīng)變QW激光器和補償應(yīng)變QW激光器。應(yīng)變的引入減小了空穴的有限質(zhì)量，進(jìn)一步減小了價帶間的躍遷，從而使QW激光器的閾值電流顯著降低，量子效率和振蕩頻率再次提高，并且由于價帶間躍遷的減小和俄歇復(fù)合的降低而進(jìn)一步改善了溫度特性，實現(xiàn)了激光器無致冷工作。在阱和壘中分別引入不同應(yīng)變（張應(yīng)變/壓應(yīng)變）實現(xiàn)應(yīng)變補償，不僅能改善材料質(zhì)量，從而提高激光器的壽命，而且可利用壓應(yīng)變對應(yīng)于TE模式、張應(yīng)變主要對應(yīng)于TM模式的特性，制作與偏振無關(guān)的半導(dǎo)體激光放大器。   y}?PyPz  
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    引人矚目的是，GaSb基銻化物材料的研究多年來倍受重視，因其波長覆蓋范圍寬，可從1.7 m延展到4.5 m，但材料生長和器件制作比較困難，1990年以前器件性能指標(biāo)較低。經(jīng)過近十年的努力，目前MBE生長GaSb基銻化物應(yīng)變量子阱激光器已在1.9 2.6 m波段先后獲得室溫連續(xù)大功率工作的突破。   C-g,uARX(r  
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    (3)我國QW激光器的進(jìn)展   wd3OuDrU  
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    我國從1993年年底開始利用AIX200型低壓MOCVD系統(tǒng)進(jìn)行QW器件的開發(fā)，現(xiàn)已開發(fā)出幾十種InGaAsP系列、AlGaInAs系列材料和兩種系列的應(yīng)變QW材料，QW器件的開發(fā)也取得豐碩的成果，完成了多項"863"項目，已形成產(chǎn)品的主要有如下器件：   nw#AKtd@x  
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    （1）普通1.3 m QW激光器，國內(nèi)首批實用化的QW激光器產(chǎn)品，1995年開始大量使用于移動通信光纖傳輸直放站。   Q pIec\a+  
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    （2）應(yīng)變QW DFB激光器系列產(chǎn)品，波長覆蓋1.5～1.57 m，1996年底批量生產(chǎn)并正式投放市場，主要作為2.5Gb/s SDH系統(tǒng)和WDM系統(tǒng)發(fā)射和信道監(jiān)控光源。   ))<vCfuz2  
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    （3）大功率高線性1.3 m應(yīng)變QW DFB激光器，1997年小批量使用于CATV光發(fā)射機。   H[}lzL)  
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    正在開發(fā)的器件有：   \UX9[5|  
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    （1）1.3 m、1.55 m AlGaInAs高溫?zé)o致冷應(yīng)變QW激光器，"863"項目。 ym_as8A*Q  
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（2）1.3 m、1.55 m補償應(yīng)變InGaAsP QW半導(dǎo)體激光放大器，"863"項目。   A~X\ dcn  
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    （3）2.5 Gb/s用的QW DFB激光器與電吸收型調(diào)制器的單片光集成器件。   %m [l/,2x  
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    QW激光器是發(fā)展高速光纖通信系統(tǒng)國家急需的關(guān)鍵器件。由于此項關(guān)鍵技術(shù)的突破，大大推動了我國光纖通信技術(shù)的發(fā)展。   k~I]Y,  
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